[发明专利]确定芯片电性特征的方法、设备和计算机可读存储介质

权利要求书

1.一种用于确定芯片的电性特征的方法，包括：

确定所述芯片中的电路元件的规格；

基于所述电路元件的规格确定第一关系，所述第一关系是所述电路元件的电性特征与用于制造所述芯片的工艺参数之间的关系；以及

基于所述第一关系确定第二关系，所述第二关系是所述芯片的电性特征与所述工艺参数之间的关系，

其中确定所述第一关系包括：

通过多元回归分析来确定第三关系，所述第三关系是所述电路元件的电性特征与所述芯片的电性特征之间的关系；以及

基于所述第一关系和所述第三关系，确定所述第二关系，

其中所述电路元件中的晶体管的电性特征包括晶体管的漏电流或时序延迟，且所述芯片的电性特征包括芯片的功耗或芯片的速度；

其中所述晶体管的漏电流与所述芯片的功耗之间的关系表示为：

其中，n表示晶体管尺寸的种类，IOFFi表示第i种尺寸的晶体管的漏电流，Ai和B为常数，

其中所述晶体管的时序延迟与所述芯片的速度之间的关系表示为：

其中Speed表示所述芯片的速度，n表示晶体管尺寸的种类，Delay_i表示第i种尺寸的晶体管的漏电流，C_i和D为常数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第二关系包括：

确定所述芯片的电性特征的测量值；以及

基于所述电性特征的测量值，以所述电路元件的电性特征为元素进行多元回归分析，以确定所述第二关系。

3.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第一关系包括：

通过计算机辅助设计工具确定目标电性特征，其中，所述目标电性特征为与所述工艺参数的至少一个值相对应的所述电路元件的电性特征；以及

基于所述目标电性特征，通过数据拟合来确定所述电路元件的电性特征与所述工艺参数之间的关系。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述电路元件包括晶体管，所述晶体管的规格包括晶体管的尺寸，并且确定所述晶体管的尺寸包括：

确定所述芯片中的不同尺寸的晶体管的数目；以及

确定数目大于阈值数目的晶体管，以及确定该晶体管的尺寸。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述工艺参数包括所述晶体管的栅氧厚度。

6.根据权利要求5所述的方法，并且所述第一关系表示为：

IOFF＝A*e^B*Tox

其中，IOFF表示晶体管的漏电流，Tox表示栅氧厚度，并且A和B为常数。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一关系表示为：

Delay＝C*Tox+D

其中Delay表示晶体管的时序延迟，并且C和D是常数，Tox表示栅氧厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

接收所述工艺参数的值；以及

基于所述工艺参数的值，通过所述第二关系来确定所述芯片的电性特征。

9.一种电子设备，包括：

处理单元；以及

存储器，耦合至所述处理单元并且包括存储于其上的程序，所述程序在由所述处理单元执行时使所述电子设备执行根据权利要求1-8中任一项所述的方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有机器可执行指令，当所述机器可执行指令在被至少一个处理器执行时，使得所述至少一个处理器实现根据权利要求1-8中任一项所述的方法。