[发明专利]晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺

说明书

本发明公开晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,铅锡合金凸块形成工艺包括以下步骤：S1：硅通孔工序，在晶圆的正面蚀刻形成沉孔，S2：金属填充，在沉孔内填充金属，S3：正面黄光工艺，在晶圆的正面进行黄光工艺，在晶圆的正面形成正面重布线层，S4：键合，通过粘合剂将晶圆的正面键合在玻璃载板上，S5：减薄，对晶圆的背面进行减薄，使沉孔露出形成通孔，S6：背面黄光工艺，S7：玻璃载板开窗，S8:两面UBM，S9:双面黄光工艺，S10:双面电镀，S11:去光阻，S12:去UBM，S13：解键合。本发明晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺通过开窗式玻璃载板，实行同时双面凸块工艺，不须凸块的包覆与去除工序，提高了品质与生产力，减少了不良品的产生，降低了成本。

技术领域

本发明涉及晶圆生产领域，具体是晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺。

背景技术

集成电路技术在过去的几十年里一直遵循摩尔定律不断发展，即单位集成电路面积上可容纳的晶体管数目大约每隔18个月可以增加一倍。然而，当晶体管尺寸减小到纳米级后，想再通过减小晶体管尺寸来提升集成电路的性能己经变得非常困难，而随着人类生活品质的提高，随身携带多样性的发展，最终产品需依轻、薄、小、快的规格发展，近年来，在封装技术上，已从传统的引线连接晶粒再连接印刷电路板的方式，发展到2.5D，及三维(3D)的封装技术。“穿透硅通道(Through-Silicon Vias)”技术的成熟化，使得可以上下转直多层堆叠，凸块技术解决了上下层堆叠中互连需求。与传统的引线键合互联封装相比，硅通孔技术加上凸块技术连接，有导电好，功耗低及封装体积小的优点。

在生产过程中，一般采取硅通道(Through-Silicon Vias)”技术，采用铜为通孔及重佈线的材料，完成晶圆正面凸块电镀工序后，实行包覆凸块工艺，再用玻璃载板键合，使得键合后可以薄化晶圆(20-200um)，依序完成另外一面的重佈线工艺后，再实行晶圆另外一面凸块的电镀工序，解键合，去除凸块的包覆，再后续工序。

为了薄化各层晶圆厚度,以达到最终多层堆叠的厚度极小化及导电好及功耗低的优点，需键合玻璃载板，实行晶圆薄化工序，键合玻璃载板之前，需先完成正面的前段工艺及凸块电镀工序，实行包覆正面凸块工序，完成薄化后，再实行完成背面的凸块电镀工序。解键合，还需去除凸块的包覆，再后续工序。

发明内容

本发明的目的在于提供晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺，通过开窗式玻璃载板，实行同时双面凸块工艺，不须凸块的包覆与去除工序，提高了品质与生产力，减少了不良品的产生，降低了成本。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,铅锡合金凸块形成工艺包括以下步骤：

S1：硅通孔工序

在晶圆的正面蚀刻形成沉孔。

S2：金属填充

在沉孔内填充金属。

S3：正面黄光工艺

在晶圆的正面进行黄光工艺，在晶圆的正面形成正面重布线层。

S4：键合

通过粘合剂将晶圆的正面键合在玻璃载板上。

S5：减薄

对晶圆的背面进行减薄，使沉孔露出形成通孔。

S6：背面黄光工艺

在晶圆的减薄面上进行黄光工艺形成背面重布线层。

S7：玻璃载板开窗

在玻璃载板上蚀刻开窗形成窗口。

S8:两面生成凸块下金属层(UBM)