[发明专利]一种含稀氮化合物的红外探测器外延片在审
| 申请号： | 202010356991.2 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111524996A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 黄珊珊;黄辉廉;丁杰;杨文奕 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0352;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 冯炳辉 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 红外探测器 外延 | ||
【权利要求书】：
1.一种含稀氮化合物的红外探测器外延片，包括InP衬底，其特征在于：在所述InP衬底上按照层状叠加结构依次设置有n型InP缓冲层、本征GaInNAs吸收层、p型InP层、p型InGaAs欧姆接触层。
2.根据权利要求1所述的一种含稀氮化合物的红外探测器外延片，其特征在于：所述n型InP缓冲层的厚度为500nm，其掺杂浓度为2～6e18/cm3。
3.根据权利要求1所述的一种含稀氮化合物的红外探测器外延片，其特征在于：所述本征GaInNAs吸收层通过调节其In组分及N组分，能够使GaInNAs材料的带隙达到0.41～0.62eV之间，并与InP衬底保持晶格匹配，其对应器件的截止吸收波长能够达到2～3μm之间。
4.根据权利要求1或3所述的一种含稀氮化合物的红外探测器外延片，其特征在于：所述本征GaInNAs吸收层的厚度在1000～3000nm。
5.根据权利要求1所述的一种含稀氮化合物的红外探测器外延片，其特征在于：所述p型InP层的厚度为200～500nm，其掺杂浓度为0.5～1.5e18/cm3。
6.根据权利要求1所述的一种含稀氮化合物的红外探测器外延片，其特征在于：所述p型InGaAs欧姆接触层的厚度为30～70nm，其掺杂浓度为5e18/cm3，所述p型InGaAs欧姆接触层与InP衬底保持晶格匹配。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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