[发明专利]双尺度结构原位生长石墨烯增强铜基复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010356124.9 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111408714B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 李亮;刘跃;董龙龙;霍望图;张于胜;卢金文;黎栋栋 | 申请（专利权）人： | 西安稀有金属材料研究院有限公司;西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | B22F1/16 | 分类号： | B22F1/16;B22F1/145;B22F9/20;B22F3/105;C22C1/05;C22C9/00 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 马小燕 |
| 地址： | 710016 陕西省西安市西安经济*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 尺度 结构 原位 生长 石墨 增强 复合材料 制备 方法 | ||
1.双尺度结构原位生长石墨烯增强铜基复合材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、将电解铜粉在高温下进行氧化，得到氧化铜粉；所述氧化铜粉为表面包覆氧化铜膜的铜粉；
步骤二、将步骤一中得到的氧化铜粉与乙醇、葡萄糖混合后进行高能球磨，然后经真空干燥，得到复合粉末；所述葡萄糖的加入质量与步骤一中所述电解铜粉的质量之比为（0.2~10）：40；
步骤三、将步骤二中得到的复合粉末放置于管式炉中进行原位化学气相还原，得到原位生长的石墨烯包覆铜纳米颗粒粉末；
步骤四、将步骤三中得到的原位生长的石墨烯包覆铜纳米颗粒粉末进行放电等离子烧结，得到双尺度结构原位生长石墨烯增强铜基复合材料。
2.根据权利要求1所述的双尺度结构原位生长石墨烯增强铜基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤一中所述氧化的温度为200℃~400℃。
3.根据权利要求1所述的双尺度结构原位生长石墨烯增强铜基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤三中所述原位化学气相还原的具体过程为：以0.3L/min~3.5L/min的流量通入氢气体积含量为5%的氢氩混合气体，在温度为800℃~1000℃的条件下保温30min~60min，然后以0.3L/min~3.5L/min的流量通入氢气体积含量为5%的氢氩混合气体进行降温。
4.根据权利要求1所述的双尺度结构原位生长石墨烯增强铜基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤四中所述放电等离子烧结的温度为800℃~1050℃，压力为40MPa~150MPa，保温时间为5min~30min。
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