[发明专利]一种镀膜速率的控制方法、控制系统及存储介质有效
申请号: | 202010355971.3 | 申请日: | 2020-04-29 |
公开(公告)号: | CN111471984B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 王凯;盛兆亚;张建飞;宋文庆 | 申请(专利权)人: | 立讯电子科技(昆山)有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215324 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镀膜 速率 控制 方法 控制系统 存储 介质 | ||
1.一种镀膜速率的控制方法,其特征在于,镀膜速率的控制系统包括加热装置,加热装置用于控制真空镀膜设备中蒸发仓内的温度不变,以及用于根据实时镀膜速率调节量调节所述蒸发仓内的温度,包括如下步骤:
S1、检测第(k)采样周期的第(k)膜层厚度;
S2、获取第(k-1)采样周期的第(k-1)膜层厚度,所述第(k-1)采样周期位于所述第(k)采样周期前且与所述第(k)采样周期差一个采样周期;
S3、根据第(k)膜层厚度、所述第(k-1)膜层厚度及所述采样周期,确定所述实时镀膜速率;
S4、比较所述实时镀膜速率与目标速率,当所述实时镀膜速率等于所述目标速率,则执行步骤S5,当所述实时镀膜速率大于或小于所述目标速率,则执行步骤S6;
S5、控制真空镀膜设备中蒸发仓内的温度不变;
S6、获取位于所述第(k)采样周期前的k-1个采样周期的实际镀膜速率,k>1;
S7、采用误差预估算法处理所述实时镀膜速率、所述目标速率、所述采样周期及所述k-1个采样周期的实际镀膜速率,得到实时镀膜速率调节量,所述误差预估算法的计算公式为:式中,表示所述实时镀膜速率调节量;Vtar表示所述目标速率;表示第i个采样周期的实际镀膜速率;表示第i-1个采样周期的实际镀膜速率;Kacc表示采样周期累计量,且Kacc=ki*t,ki表示采样周期积分系数,t表示采样周期;Ksca表示变化量缩放系数;Ksub表示采样周期细分量,且Ksub=kd/t,kd表示采样周期细分系数;
S8、根据所述实时镀膜速率调节量调节所述蒸发仓内的温度;
所述步骤S8包括:
S81、采用线性变换算法处理所述实时镀膜速率调节量,以得到实时温度调节量,所述线性变换算法采用如下公式:
式中表示实时温度调节量;表示第(k-1)采样周期蒸发仓内的温度;表示所述实时镀膜速率调节量;表示所述实时镀膜速率;K表示开尔文温度;X=1s/mm,s/mm表示秒每毫米;
S82、根据所述实时温度调节量调节所述蒸发仓内的温度;
所述步骤S82包括:
S821、当所述实时镀膜速率大于所述目标速率时,降低所述蒸发仓内的温度,当所述实时镀膜速率小于所述目标速率时,升高所述蒸发仓内的温度。
2.根据权利要求1所述的镀膜速率的控制方法,其特征在于,所述步骤S3包括:
S31、采用速率算法处理所述第(k)膜层厚度、所述第(k-1)膜层厚度及所述采样周期,以得到所述实时镀膜速率;
所述速率算法采用如下公式:
Vpres=(δpres-δpre)/t,式中Vpres表示所述实时镀膜速率;δpres表示所述第(k)膜层厚度;δpre表示所述第(k-1)膜层厚度;t表示所述采样周期。
3.根据权利要求1或2所述的镀膜速率的控制方法,其特征在于,所述目标速率根据所述实时镀膜速率调节,且所述目标速率的范围为0.5~1.5μm/min。
4.根据权利要求1或2所述的镀膜速率的控制方法,其特征在于,所述采样周期积分系数(ki)为0~5,且所述采样周期积分系数(ki)的调节方式为:当所述实时镀膜速率大于所述目标速率,且所述实时镀膜速率的下降速率低于预设下降速率时,调小所述采样周期积分系数(ki);当所述实时镀膜速率小于所述目标速率,且所述实时镀膜速率的上升速率低于第一预设上升速率时,调大所述采样周期积分系数(ki)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于立讯电子科技(昆山)有限公司,未经立讯电子科技(昆山)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010355971.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的