[发明专利]一种电子封装用石墨-铜钼基复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种电子封装用石墨-铜钼基复合材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、制备氧化铜粉：将电解铜粉在高温下进行氧化，然后进行高能球磨处理，得到氧化铜粉；所述氧化铜粉为表面包覆氧化铜膜的铜粉；所述氧化的温度为250℃~400℃，所述高能球磨处理采用的球料比为（5~20）：1，球磨速度为400rpm~500rpm；

步骤二、制备复合粉末：将步骤一中得到的氧化铜粉、鳞片石墨与钼粉按照44.5：（2.25~18）：（5.1~51）的质量比进行球磨混合，得到复合粉末；所述球磨混合的转速为150rpm~250rpm，球磨时间为2h~4h；

步骤三、制备石墨负载铜纳米颗粒复合粉末：将步骤二中得到的复合粉末放置于管式炉中，在还原气氛条件下进行还原处理，得到石墨负载铜纳米颗粒复合粉末；

步骤四、制备石墨-铜钼基复合材料：将步骤三中得到的石墨负载铜纳米颗粒复合粉末进行真空热压烧结，得到石墨-铜钼基复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种电子封装用石墨-铜钼基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤三中所述还原处理的温度为350℃~450℃，时间为2h~4h。

3.根据权利要求1所述的一种电子封装用石墨-铜钼基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤四中所述真空热压烧结的温度为700℃~1050℃，真空度低于10^-3Pa，保温时间为5min~30min，压力为30MPa~160MPa。