[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 202010353698.0 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111403279B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 刘长振;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3115;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件的形成方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有垫底氧化层和场氧化层，所述场氧化层覆盖所述垫底氧化层并在所述半导体衬底上形成场氧化层，所述场氧化层的材质为正硅酸乙酯；
对所述场氧化层执行离子注入工艺；
形成氮氧化层，所述氮氧化层覆盖执行离子注入工艺后的所述场氧化层；
去除部分所述氮氧化层，以暴露出部分所述场氧化层；
通过湿法刻蚀工艺对暴露出的所述场氧化层执行刻蚀工艺，以使暴露出的所述场氧化层的侧壁与底壁之间的角度呈锐角并使部分所述垫底氧化层得以暴露，其中，所述锐角为65°～75°；
去除剩余的所述氮氧化层，以暴露出剩余的所述场氧化层；以及，
形成栅极层，所述栅极层覆盖暴露出的所述垫底氧化层并延伸覆盖所述场氧化层的一侧壁和部分表面。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述场氧化层执行离子注入工艺的注入能量为75Kev-130Kev。
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述场氧化层执行离子注入工艺的注入浓度为5E6/cm2-9E6/cm2。
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述场氧化层执行离子注入工艺时，采用的离子为氩离子。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，通过干法刻蚀去除部分所述氮氧化层。
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，通过湿法刻蚀对暴露出的所述场氧化层执行刻蚀工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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