[发明专利]一种高频应用的低介电常数氧化铝材料及制备方法与应用

权利要求书

1.一种高频应用的低介电常数氧化铝材料，其特征在于：所述氧化铝材料的介电性能具有如下性质：

当频率在20-70GHz时，所述氧化铝材料的介电常数为9-9.7，Df为0.0002-0.0008。

2.根据权利要求1所述的高频应用的低介电常数氧化铝材料，其特征在于，所述氧化铝材料的比表面为10-25，粒径D50为50-200nm，D90为200-400nm；

所述氧化铝材料的干压成坯体的生坯密度为2.2-2.4，瓷片密度大于3.9，烧结温度1200-1350℃。

3.一种制备权利要求1或2所述高频应用的低介电常数氧化铝材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)取硫酸铝铵溶液作为铝盐，以碳酸氢铵溶液作为沉淀剂，进行反应得到前驱体碱式碳酸铝铵，并将所得前驱体进行陈化处理；

(2)将陈化后的所述前驱体经抽滤、洗涤后进行烘干处理，研磨，备用；

(3)将所述前驱体粉末于700-850℃进行第一次煅烧，得到过渡相γ-Al₂O₃，将其分散并烘干后，于1000-1100℃进行第二次煅烧，得到纯相α-Al₂O₃。

4.根据权利要求3所述高频应用的低介电常数氧化铝材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述硫酸铝铵与所述碳酸氢铵的摩尔比为1：8-20。

5.根据权利要求3或4所述高频应用的低介电常数氧化铝材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，控制所述硫酸铝铵溶液的浓度为0.3-0.5mol/L，所述碳酸氢铵溶液的浓度为1.5-2.5mol/L。

6.根据权利要求3-5任一项所述高频应用的低介电常数氧化铝材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，控制所述反应温度为40-100℃。

7.根据权利要求3-6任一项所述高频应用的低介电常数氧化铝材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，控制所述陈化步骤的温度为50-100℃。

8.根据权利要求3-7任一项所述高频应用的低介电常数氧化铝材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，控制所述烘干步骤温度为80-100℃。

9.根据权利要求3-8任一项所述高频应用的低介电常数氧化铝材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述分散步骤包括将所述过渡相γ-Al₂O₃加水配制溶液并以高纯氧化铝球为球磨介质进行球磨5-10h的步骤，以及将球磨后的溶液进行烘干机研磨的步骤。

10.权利要求1或2所述高频应用的低介电常数氧化铝材料在5G高频领域中的应用。

11.根据权利要求10所述的应用，其特征在于，包括制备适用于5G通讯消费电子芯片封装陶瓷基板或玻璃陶瓷共烧基板的用途。