[发明专利]薄膜晶体管器件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202010351361.6 申请日: 2020-04-28
公开(公告)号: CN111524915B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 张愉;江淼;姚江波;陈黎暄;张鑫 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L29/786;H01L31/18;H01L21/336;H01L21/34;B82Y15/00;B82Y40/00
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 张晓薇
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 器件 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管器件,其特征在于,包括基板以及位于所述基板上的薄膜晶体管单元层;

其中,所述薄膜晶体管单元层包括:

栅极层;

有源层,与所述栅极层对应设置;

源漏极金属层,位于所述有源层上;以及

纳米光敏增益层,与所述源漏极金属层电性连接,位于所述源漏极金属层上或者位于所述有源层和所述源漏极金属层之间;所述纳米光敏增益层包括金属氧化物纳米颗粒和贵金属纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件,其特征在于,所述纳米光敏增益层具有介孔结构,所述纳米光敏增益层通过所述金属氧化物纳米颗粒在模板剂作用下发生自组装形成所述介孔结构。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件,其特征在于,所述金属氧化物纳米颗粒的材质包括氧化锌、氧化钛、氧化钨、氧化镍、氧化锡中的任一种。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件,其特征在于,所述贵金属纳米颗粒的材质包括金、铂、钯中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件,其特征在于,所述薄膜晶体管单元层还包括:

阻隔层,设于所述基板上;

缓冲层,设于所述基板上且完全覆盖所述阻隔层;所述栅极层设于所述缓冲层上且与所述阻隔层对应设置;以及

栅极绝缘层,设于所述缓冲层上且完全覆盖所述栅极层;所述有源层设于所述栅极绝缘层上。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件,其特征在于,所述薄膜晶体管单元层还包括:

栅极绝缘层,设于所述有源层上;所述栅极层设于所述栅极绝缘层上;

层间绝缘层,设于所述栅极绝缘层上并完全覆盖所述栅极层;所述源漏极金属层穿过所述层间绝缘层与所述有源层的两端电性连接;以及

平坦层,设于所述源漏极金属层及所述层间绝缘层上。

7.一种薄膜晶体管器件的制作方法,其特征在于,包括步骤:

提供一基板;

在所述基板上的制作栅极层及有源层,所述有源层与所述栅极层对应设置;

在所述有源层上制作纳米光敏增益层、源漏极金属层,所述源漏极金属层与所述有源层电性连接,其中,所述纳米光敏增益层设置在所述源漏极金属层上或者在所述有源层和所述源漏极金属层之间,所述纳米光敏增益层与所述源漏极金属层电性连接,所述纳米光敏增益层包括金属氧化物纳米颗粒和贵金属纳米颗粒。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管器件的制作方法,其特征在于,所述纳米光敏增益层的制作方法包括:

将含有预制作金属氧化物纳米颗粒中金属离子的溶液与用于将金属离子反应生成氧化物的沉淀剂进行混合,以形成第一混合液;以及

将所述第一混合液置于所述源漏极金属层上或者在所述有源层上生成金属氧化物纳米颗粒,所述金属氧化物纳米颗粒均匀沉淀形成所述纳米光敏增益层。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管器件的制作方法,其特征在于,所述纳米光敏增益层的制作方法包括:

将含有预制作金属氧化物纳米颗粒中金属离子的溶液进行水解,以形成第二混合液;

将所述第二混合液作为喷墨打印的墨水,利用喷墨打印的方法喷涂形成膜层;以及

对所述膜层加热烘干或紫外固化,以形成金属氧化物纳米颗粒,所述金属氧化物纳米颗粒堆积形成所述纳米光敏增益层。

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