[发明专利]半导体封装

说明书

公开了一种半导体封装，包括重新分布衬底以及重新分布衬底的顶表面上的半导体芯片。重新分布衬底包括凸块下图案、覆盖凸块下图案的侧壁的下介电层以及下介电层上的第一重新分布图案。第一重新分布图案包括第一线路部分。凸块下图案在顶表面处的宽度大于凸块下图案在底表面处的宽度。凸块下图案的厚度大于第一线路部分的厚度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年7月22日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2019-0088551的优先权，其全部内容通过引用合并在此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体封装，更具体地，涉及一种包括重新分布衬底的半导体封装及其制造方法。

背景技术

提供半导体封装以实现符合在电子产品中使用的集成电路芯片。半导体封装通常如此配置：半导体芯片安装在印刷电路板上，并使用键合线或凸块将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着电子工业的发展，已经进行了各种研究来提高半导体封装的可靠性和耐久性。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了一种具有增强的可靠性和耐用性的半导体封装及其制造方法。

本发明构思的一些示例实施例提供了小型半导体封装及其制造方法。

根据本发明构思的一些示例实施例，本公开涉及一种半导体封装，包括：重新分布衬底；以及重新分布衬底的顶表面上的半导体芯片，其中，重新分布衬底包括：凸块下图案；下介电层，覆盖凸块下图案的侧壁；以及下介电层上的第一重新分布图案，第一重新分布图案包括第一线路部分，其中凸块下图案在顶表面处的宽度大于凸块下图案在底表面处的宽度，以及其中凸块下图案的厚度大于第一线路部分的厚度。

根据本发明构思的一些示例实施例，本公开涉及一种半导体封装，包括：重新分布衬底；以及重新分布衬底的顶表面上的半导体芯片，其中，重新分布衬底包括：凸块下图案；介电层，覆盖凸块下图案的侧壁；以及凸块下图案上的重新分布图案，重新分布图案耦接至凸块下图案，其中凸块下图案的侧壁和底表面之间的角度在105°至 135°的范围内。

根据本发明构思的一些示例实施例，本公开涉及一种半导体封装，包括：重新分布衬底；以及重新分布衬底的顶表面上的半导体芯片，其中，重新分布衬底包括：导电端子焊盘；下介电层，覆盖导电端子焊盘的侧壁；下介电层上的线路图案；以及导电端子焊盘与线路图案之间的过孔，过孔与导电端子焊盘的顶表面接触，其中导电端子焊盘的厚度大于线路图案的厚度，以及其中过孔的宽度小于导电端子焊盘的宽度。

附图说明

图1A、图1C、图1E、图1G、图1H、图1I、图1K、图1L、图1M、图1O和图1Q图示了示出根据一些示例实施例的制造半导体封装的方法的截面图。

图1B图示了示出图1A的部分I的放大图。

图1D图示了示出图1C的部分I的放大图。

图1F图示了示出图1E的部分I的放大图。

图1J图示了示出图1I的部分I的放大图。

图1L图示了示出图1K的部分I的放大图。

图1N图示了示出图1M的部分I的放大图。

图1P图示了示出图1O的部分I的放大图。

图1R图示了示出图1Q的部分I的放大图。

图2A、图2C和图2E图示了示出根据一些示例性实施例的制造半导体封装的方法的截面图。

图2B图示了示出图2A的部分I的放大图。

图2D图示了示出图2C的部分I的放大图。