[发明专利]生产带金属光学分离栅的光电发射和/或接收装置的方法

权利要求书

1.用于生产带有金属光学分离栅(140)的光电发射和/或光电接收装置(100)的方法，其特征在于，所述方法至少包括：

-生产至少一个光电发射和/或光电接收部件(102)，其中，所述光电发射和/或光电接收部件(102)的至少一个第一金属电极(110)覆盖所述光电发射和/或光电接收部件(102)的至少一个半导体堆叠部(104，106，108)的侧翼，并且延伸到所述光电发射和/或光电接收部件(102)的至少一个发射和/或接收面(112)；

-对所述第一金属电极(110)的位于所述发射和/或接收面(112)处的至少一个面进行处理，使得能够将所述第一金属电极(110)的所述面润湿；

-在至少一个支撑件(142)上生产所述金属光学分离栅(140)；

-通过钎焊将所述金属光学分离栅(140)紧固在所述第一金属电极(110)的所述面上；

-移除所述支撑件(142)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光电发射和/或光电接收部件(102)包括至少一个光电发射和/或光电接收二极管，所述至少一个光电发射和/或光电接收二极管至少包括：

-掺杂半导体的第一部分和第二部分(104，108)，所述第一部分和所述第二部分是所述半导体堆叠部的一部分并且形成p-n结，所述掺杂半导体的第一部分(104)的第一部(120)被布置在所述掺杂半导体的第一部分(104)的第二部(122)与所述掺杂半导体的第二部分(108)之间；

-介电部分(118)，所述介电部分覆盖所述掺杂半导体的第一部分(104)的第一部(120)的侧翼和所述掺杂半导体的第二部分(108)的侧翼；

-第二电极(124)，所述第二电极电联接到所述掺杂半导体的第二部分(108)并且使得所述掺杂半导体的第二部分(108)被布置在所述掺杂半导体的第一部分(104)与所述第二电极(124)之间；

并且其中，所述第一金属电极(110)抵靠所述介电部分(118)的外侧翼并且抵靠所述掺杂半导体的第一部分(104)的第二部(122)的侧翼布置，使得所述第一金属电极(110)电联接到所述掺杂半导体的第一部分(104)并与所述掺杂半导体的第二部分(108)电绝缘。

3.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法在生产所述光电发射和/或光电接收部件(102)与对所述第一金属电极(110)的面进行处理之间或者在将所述支撑件(142)移除之后进一步包括，在与所述发射和/或接收面(112)相对的一侧上，将所述光电发射和/或光电接收部件(102)电联接和机械联接到至少一个电子控制电路(130)。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，对所述第一金属电极(110)的面进行处理包括将至少一个可润湿材料(136)沉积在所述第一金属电极(110)的面上，或者当所述第一金属电极(110)包括被至少一个第二不可润湿材料(116)覆盖的至少一个第一可润湿的金属材料(114)时，对所述第一金属电极(110)的面上的所述第二不可润湿材料(116)进行蚀刻。

5.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法在生产所述金属光学分离栅(140)与紧固所述金属光学分离栅(140)之间进一步包括将至少一种钎焊材料(150)沉积在所述金属光学分离栅(140)上。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述支撑件(142)上生产所述金属光学分离栅(140)，在所述金属光学分离栅(140)与所述支撑件(142)之间布置有至少一个牺牲层(144)，并且其中，通过抑制所述牺牲层(144)而将所述支撑件(142)移除。