[发明专利]一种碳化硅表面的处理方法在审
| 申请号： | 202010344980.2 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111681943A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;李玲;朱涛;姜春艳;刘瑞;张红丹;焦倩倩;蔡依沙 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网北京市电力公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 表面 处理 方法 | ||
1.一种碳化硅表面的处理方法，其特征在于，包括：
在碳化硅衬底表面生长氧化层；
在所述氧化层表面沉积掺杂层；
对含有所述掺杂层和氧化层的碳化硅衬底按照设定真空度进行真空退火。
2.根据权利要求1所述的碳化硅表面的处理方法，其特征在于，所述在碳化硅衬底表面生长氧化层，包括：
将所述碳化硅衬底放入氧化炉，并将氧化炉的内部温度以10℃/min-200℃/min的升温速率升高到900℃-1200℃，以1SLM-10SLM的流量通入O2、NO和N2O中的一种或多种；
将氧化炉的内部温度以10℃/min-200℃/min的升温速率升高到1200℃-1500℃，维持1min-5h，之后停止通入O2、NO和N2O中的一种或多种，得到氧化层。
3.根据权利要求1所述的碳化硅表面的处理方法，其特征在于，所述在碳化硅衬底表面生长氧化层，包括：
将所述碳化硅衬底放入氧化炉，并将氧化炉的内部温度以10℃/min-200℃/min的升温速率升高到900℃-1200℃，以1SLM-10SLM的流量通入H2和O2；
将氧化炉的内部温度以10℃/min-200℃/min的升温速率升高到1200℃-1500℃，维持1min-5h，之后停止通入H2和O2，得到氧化层。
4.根据权利要求1所述的碳化硅表面的处理方法，其特征在于，所述在碳化硅衬底表面生长氧化层，包括：
将所述碳化硅衬底放入氧化炉，并将氧化炉的内部温度以10℃/min-200℃/min的升温速率升高到900℃-1200℃，以1SLM-10SLM的流量通入O2、NO和N2O中的一种或多种；
将氧化炉的内部温度以10℃/min-200℃/min的升温速率升高到1200℃-1500℃，维持1min-5h，停止通入O2、NO和N2O中的一种或多种；
维持氧化炉内部温度，以1SLM-10SLM的流量通入H2和O2，维持1min-5h，之后停止通入H2和O2，得到氧化层。
5.根据权利要求1所述的碳化硅表面的处理方法，其特征在于，所述在所述氧化层表面沉积掺杂层，包括：
将含有氧化层的碳化硅衬底放入所述原子层沉积设备，并将所述原子层沉积设备抽真空；
将所述原子层沉积设备加热至预设温度；
依次采用P掺杂源、硅掺杂源和氧源在所述氧化层表面沉积掺杂层。
6.根据权利要求1所述的碳化硅表面的处理方法，其特征在于，所述对含有所述掺杂层和氧化层的碳化硅衬底按照预设真空度进行真空退火，包括：
将含有掺杂层和氧化层的碳化硅衬底放入退火炉，并将所述退火炉抽真空至设定真空度；
以10℃/min-200℃/min的升温速率将退火炉的内部温度升高到900℃-1500℃，维持30min-2h；
以10℃/min-200℃/min的降温速率将退火炉的内部温度降至室温。
7.根据权利要求2-4任一所述的碳化硅表面的处理方法，其特征在于，所述氧化层厚度为2nm-30nm。
8.根据权利要求5所述的碳化硅表面的处理方法，其特征在于，所述预设温度为200-500℃；
所述掺杂层的厚度为2nm-30nm；
所述P掺杂源、硅源和氧源在原子层沉积设备内暴露时间均为100ms-3s；
所述P掺杂源为P族氢化物或卤族氧化物；
所述硅掺杂源为含硅的烷基化合物、含硅的氢化物或含硅的卤化物；
所述氧源为水蒸汽或氧气。
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