[发明专利]一种能够匹配SE+碱抛的单晶硅电池片扩散提效工艺有效
| 申请号： | 202010344852.8 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111508829B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 王奎 | 申请（专利权）人： | 徐州谷阳新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人： | 朱磊 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 能够 匹配 se 单晶硅 电池 扩散 工艺 | ||
1.一种能够匹配SE+碱抛的单晶硅电池片扩散提效工艺，包括以下步骤：
第一步、将待扩散的硅片置于扩散炉中，升温至775-795℃；
第二步、待温度稳定后，将炉内各温区的温度升至790-795℃，同时通入475-525sccm大N2,855-945sccm O2和475-525sccm的小N2，时间为285-315s；
第三步、继续将炉内各温区的温度控制在790-805℃，同时通入475-525sccm 大N2,617-683sccm O2和665-735sccm携带POCl3的小N2，时间为171-189s；
第四步、待温度稳定后，将炉内各温区的温度升至800-815℃，通入475-525scc大N2,617-683sccm O2和665-735sccm携带POCl3的小N2，时间为171-189s；
第五步、继续将炉内各温区的温度升至870-885℃，同时通入1330-1470sccm 大N2和475-525sccm的小N2，时间为456-504s；
第六步、待温度稳定后，将炉内各温区的稳定至870-885℃，同时通入1805-1995sccm大N2，时间为570-630s；
第七步、将炉内各温区的温度降至810-815℃，同时通入1330-1470sccm 大N2和475-525sccm的小N2，时间为798-882s；
第八步、继续将炉内各温区的温度控制在810-815℃，同时通入380-420sccm 大N2,665-735sccm O2和665-735sccm携带POCl3的小N2，时间为171-189s；
第九步、将炉内各温区的温度降至780-795℃，同时通入1330-1470sccm 大N2和475-525sccm的小N2，时间为342-378s；
第十步、继续将炉内各温区的温度控制在780-795℃，同时通入475-525sccm 大N2,475-525sccm O2和1140-1260sccm携带POCl3的小N2，时间为456-504s；
第十一步、将炉内各温区的温度降至780℃，同时通入950-1050sccm 大N2,2375-2625sccm的O2，时间为171-189s；
第十二步、继续降温，回压，取出硅片。
2.根据权利要求1所述能够匹配SE+碱抛的单晶硅电池片扩散提效工艺，其特征在于：
第一步、将待扩散的硅片置于扩散炉中，升温至790℃；
第二步、待温度稳定后，将炉内各温区的温度升至790-795℃，同时通入500sccm 大N2,900sccm O2和500sccm的小N2，时间为300s；
第三步、继续将炉内各温区的温度控制在790-805℃，同时通入500sccm 大N2,650sccmO2和700sccm携带POCl3的小N2，时间为180s；
第四步、待温度稳定后，将炉内各温区的温度升至800-815℃，通入500sccm 大N2,650sccm O2和700sccm携带POCl3的小N2，时间为180s；
第五步、继续将炉内各温区的温度升至870-885℃，同时通入1400sccm 大N2和500sccm的小N2，时间为480s；
第六步、待温度稳定后，将炉内各温区的稳定至870-885℃，同时通入1900sccm 大N2，时间为600s；
第七步、将炉内各温区的温度降至810-815℃，同时通入1400sccm 大N2和500sccm的小N2，时间为840s；
第八步、继续将炉内各温区的温度控制在810-815℃，同时通入400sccm 大N2,700sccmO2和700sccm携带POCl3的小N2，时间为180s；
第九步、将炉内各温区的温度降至780-795℃，同时通入1400sccm 大N2和500sccm的小N2，时间为360s；
第十步、继续将炉内各温区的温度控制在780-795℃，同时通入500sccm 大N2,500sccmO2和1200sccm携带POCl3的小N2，时间为480s；
第十一步、将炉内各温区的温度降至780℃，同时通入1000sccm 大N2,2500sccm的O2，时间为180s；
第十二步、继续降温，回压，取出硅片。
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