[发明专利]一种在分子尺度上原位测定低矿化度水驱过程的方法有效
| 申请号： | 202010342941.9 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111413401B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘芳慧;杨惠;张珊美玉;樊明红;王淑娟;张威;陈睿;杨明;王金本 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | G01N29/02 | 分类号： | G01N29/02;G01N29/036;G01N13/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵静 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 分子 尺度 原位 测定 矿化度 过程 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在分子尺度上原位模拟低矿化度水驱过程的方法，包括下述步骤：以原油中极性组分的溶液，模拟油相；以不同离子构成的水溶液的注入提供液体环境，模拟水相；采用改性的基底作为模拟岩石相；将所述油相、所述水相和所述岩石相混合得到油/水/岩石三相体系；利用耗散型石英晶体微天平测定不同盐溶液浓度下频率(Δf)随时间的变化曲线，实现在分子尺度上原位在线模拟低矿化度水驱过程；
所述原油中的极性组分选自下述式I-式Ⅳ任一所示的化合物：
所述极性组分的溶液中的溶剂为乙醇；所述极性组分的溶液中极性分子的浓度为10mM；
所述基底为商用QCM-D SiO2芯片；
对所述QCM-D SiO2芯片进行改性，使其表面形成Si-OH，形成亲水基底；或对所述QCM-DSiO2芯片进行改性，使其表面带有疏水基团，形成疏水基底；
所述水溶液的离子选自下述至少一项：钠离子、氯离子、镁离子、铝离子、硫酸根离子或钙离子。
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