[发明专利]存储器阵列的布局结构

说明书

本发明实施例涉及存储器阵列的布局结构。本发明实施例涉及一种布局方法，其包含：形成具有第一行及第二行的存储器阵列的布局结构，其中所述第一行及所述第二行中的每一者包括多个存储单元；在所述第一行与所述第二行之间安置字线；跨所述字线安置多个控制电极用于分别连接所述第一行的所述多个存储单元及所述第二行的所述多个存储单元；在位于所述字线的第一侧上的所述多个控制电极中的第一控制电极上安置第一切割层；及在位于所述字线的第二侧上的所述多个控制电极中的第二控制电极上安置第二切割层；其中所述字线的所述第一侧与所述字线的所述第二侧相对。

技术领域

本发明实施例涉及存储器阵列的布局结构。

背景技术

在集成电路(IC)中，熔丝通常用于存储永久信息或形成永久连接。例如，熔丝可用于确定错误电路连接且替换IC中的缺陷元件。熔丝还可用于芯片识别或用于实施安全构件。熔丝还可用于模拟微调或校准以改善电路功能。熔丝还可用于通过启用或停用IC中的构件来进行库存控制。熔丝还可用作一次性可编程(OTP)存储器元件，其可在芯片呈封装形式之后编程。一次性可编程存储器元件在IC中用于提供非易失性存储器(“NVM”)。在切断IC时，NVM中的数据不会丢失。例如，NVM允许IC制造商在IC上存储批号及安全数据，且可用于许多其它应用中。一种类型的NVM通常被称为电熔丝(E熔丝)。然而，人可通过逆向工程(例如物理失效分析(PFA))的方式得到嵌入电熔丝中的制造商的专用代码或信息。因此，迫切需要提高IC中熔丝阵列的安全性。

发明内容

根据本发明的实施例，一种布局方法包括：形成具有第一行及第二行的存储器阵列的布局结构，其中所述第一行及所述第二行中的每一者包括多个存储单元；在所述第一行与所述第二行之间安置字线；跨所述字线安置多个控制电极用于分别连接所述第一行的所述多个存储单元及所述第二行的所述多个存储单元；在位于所述字线的第一侧上的所述多个控制电极中的第一控制电极上安置第一切割层；及在位于所述字线的第二侧上的所述多个控制电极中的第二控制电极上安置第二切割层；其中所述字线的所述第一侧与所述字线的所述第二侧相对。

根据本发明的实施例，一种存储器阵列的布局结构包括：第一行及第二行，其中所述第一行及所述第二行中的每一者包括多个存储单元；字线，其安置在所述第一行与所述第二行之间；多个控制电极，其跨所述字线布置用于分别连接所述第一行的所述多个存储单元及所述第二行的所述多个存储单元；第一切割层，其位于所述字线的第一侧上且安置在所述多个控制电极中的第一控制电极上；及第二切割层，其位于所述字线的第二侧上且安置在所述多个控制电极中的第二控制电极上；其中所述字线的所述第一侧与所述字线的所述第二侧相对。

根据本发明的实施例，一种存储器阵列包括：第一行及第二行，其中所述第一行及所述第二行中的每一者包括多个存储单元；字线，其安置在所述第一行与所述第二行之间；第一控制电极，其耦合到所述字线的第一侧及所述第一行的第一存储单元；及第二控制电极，其耦合到所述字线的第二侧及所述第二行的第二存储单元；其中所述字线的所述第一侧与所述字线的所述第二侧相对。

附图说明

从结合附图阅读的以下详细描述最好地理解本发明实施例的方面。应注意，根据行业标准实践，各种构件未按比例绘制。实际上，为使讨论清楚，可任意地增大或减小各种构件的尺寸。

图1是说明根据一些实施例的用于形成存储器阵列的布局结构的布局方法的流程图。

图2是说明根据一些实施例的存储器阵列的布局结构的图式。

图3是说明根据一些实施例的存储器阵列的图式。

图4是说明根据一些实施例的存储器阵列的布局结构的图式。

图5是说明根据一些实施例的存储器阵列的图式。

图6是说明根据一些实施例的存储器阵列的布局结构的图式。