[发明专利]一种用于制作体声波器件的压电薄膜体及其制备方法有效
| 申请号： | 202010341765.7 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111510093B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张秀全;王金翠;朱厚彬;李真宇;李洋洋;刘桂银 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制作 声波 器件 压电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于制作体声波器件的压电薄膜体，其特征在于，包括依次叠加的薄膜体衬底、第一强化层、压电薄膜层和第二强化层；
其中，所述第一强化层和所述第二强化层的杨氏模量大于所述压电薄膜层的杨氏模量。
2.根据权利要求1所述的压电薄膜体，其特征在于，还包括隔离层，所述隔离层位于所述薄膜体衬底与所述第一强化层之间。
3.根据权利要求2所述的压电薄膜体，其特征在于，所述第一强化层的厚度范围为2nm-100nm，所述第二强化层的厚度范围为2nm-100nm；
所述压电薄膜层的厚度范围为100nm-3000nm。
4.根据权利要求2所述的压电薄膜体，其特征在于，所述薄膜体衬底的材料为单晶硅或者铌酸锂。
5.根据权利要求2所述的压电薄膜体，其特征在于，所述第一强化层和所述第二强化层的材料为三氧化二铝或氮化铝；
所述压电薄膜层的材料为铌酸锂或钽酸锂。
6.根据权利要求2所述的压电薄膜体，其特征在于，所述隔离层的材料为二氧化硅或氮化硅。
7.一种用于制作体声波器件的压电薄膜体的制备方法，其特征在于，包括：
在薄膜体衬底上制作第一强化层；
通过离子注入加键合法，在所述第一强化层上制作压电薄膜层；
在所述压电薄膜层上制作第二强化层，得到用于制作体声波器件的压电薄膜体。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：
在制作所述第一强化层之前，在所述薄膜体衬底上制作隔离层。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在薄膜体衬底上制作第一强化层，包括：
通过磁控溅射或者原子沉积的方式，在所述薄膜体衬底上制作第一强化层；
对所述第一强化层进行抛光处理，使得所述第一强化层的厚度范围为2nm-100nm。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在压电薄膜层上制作第二强化层，得到用于制作体声波器件的压电薄膜体，包括：
通过磁控溅射或者原子沉积的方式，在所述压电薄膜层上制作第二强化层；
对所述第二强化层进行抛光处理，使得所述第二强化层的厚度范围为2nm-100nm，得到用于制作体声波器件的压电薄膜体。
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