[发明专利]一种绝缘结构、包覆芯片周缘的绝缘件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010340570.0 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111508902B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 周扬;石浩;韩荣刚;李刚;李峰;连晓华;孔亮;刘帅;郑鹏飞;高洁;李玉文;郝秀敏;邢永和;李荣超 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司;国网山东省电力公司威海供电公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 宋傲男 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 结构 芯片 周缘 及其 制备 方法 | ||
1.一种绝缘结构，其特征在于，包括层叠设置的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，其中，所述第一绝缘层、第三绝缘层的热膨胀系数均小于所述第二绝缘层的热膨胀系数；
所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层均由聚醚醚酮和填料形成的绝缘材料制成，所述填料包括氮化铝纳米纤维和/或氧化铝纳米纤维；
其中，分别以各层绝缘材料的质量计，形成所述第一绝缘层和第三绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比均高于所述第二绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比。
2.根据权利要求1所述的绝缘结构，其特征在于，形成所述第一绝缘层和第三绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比相较于所述第二绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比高26％-48％。
3.根据权利要求1或2所述的绝缘结构，其特征在于，分别以各层绝缘材料的质量计，形成所述第一绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比为30-50％，形成所述第二绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比为2-4％，形成所述第三绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比为30-50％。
4.根据权利要求1或2所述的绝缘结构，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为0.1-0.3mm，所述第二绝缘层的厚度为0.6-0.8mm，所述第三绝缘层的厚度为1.0-1.2mm。
5.一种包覆芯片周缘的绝缘件，其特征在于，所述绝缘件具有权利要求1-4任一所述的绝缘结构，其中，所述第一绝缘层与所述芯片的周缘相贴合。
6.权利要求5所述的包覆芯片周缘的绝缘件的制备方法，其特征在于，包括：
分别制备用于形成所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的绝缘材料；
将所述绝缘材料采用注射成型工艺形成第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，得到所述包覆芯片周缘的绝缘件。
7.根据权利要求1-4任一所述的绝缘结构在芯片绝缘防护中的应用，或者权利要求5所述的包覆芯片周缘的绝缘件在芯片绝缘防护中的应用，或者权利要求6所述的制备方法得到的包覆芯片周缘的绝缘件在芯片绝缘防护中的应用。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述芯片为绝缘栅双极型晶体管芯片。
9.一种芯片封装结构，其特征在于，包括芯片以及包覆于所述芯片周缘的绝缘件，所述绝缘件为权利要求5所述的包覆芯片周缘的绝缘件，或者权利要求6所述的制备方法得到的包覆芯片周缘的绝缘件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司;国网山东省电力公司威海供电公司，未经全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司;国网山东省电力公司威海供电公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010340570.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种智能停车系统
- 下一篇：一种二硫化锡复合柔性碳布电极材料及其制备方法
