[发明专利]一种显示面板、其制备方法及显示装置

说明书

本发明提供一种显示面板、其制备方法及显示装置。所述显示面板包括衬底层、位于所述衬底层上的遮光金属层、位于所述衬底层上且覆盖所述遮光金属层的缓冲层、位于所述缓冲层上的有源层、位于所述有源层上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的栅极、位于所述缓冲层上且覆盖所述栅极的绝缘层、位于所述绝缘层上的源极和漏极；其中，所述源极、所述漏极、所述栅极、以及所述遮光金属层的表面均设置有减反层，所述减反层为复合无机物薄膜结构。本发明通过在金属线表面设置复合无机物薄膜结构，可降低金属线的反射，节省制程时间，简化工艺，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、其制备方法及显示装置。

背景技术

微型LED技术具有亮度高、稳定性好、色域宽等优点，被认为是下一代新型显示技术，有望在诸多领域取得广泛的应用。

由于微型LED的显示面板，其内部存在诸多金属走线，会造成显示面板的反射率偏高，影响实际观看效果。目前通常采用黑色矩阵结构或黑油遮蔽金属线，从而降低显示面板的反射。但此种方法会导致显示面板的开口率下降，且会增加实验制程，以及存在涂布精度不够等问题。故，有必要改善这一缺陷。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板，用于解决现有技术的显示面板，其内部存在许多金属走线，导致显示屏反光，影响视觉效果，若采用黑色矩阵或黑油遮蔽金属线的方案降低反射率，会导致显示面板的开口率降低、生产成本上升，且涂布精度不够的技术问题。

本发明实施例提供一种显示面板，包括衬底层、位于所述衬底层上的遮光金属层、位于所述衬底层上且覆盖所述遮光金属层的缓冲层、位于所述缓冲层上的有源层、位于所述有源层上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的栅极、位于所述缓冲层上且覆盖所述栅极的绝缘层、位于所述绝缘层上的源极和漏极、位于所述绝缘层上且覆盖所述源极和所述漏极的钝化层、以及位于所述钝化层上的像素电极。所述源极和所述漏极分别通过第一过孔和第二过孔与所述有源层的两端相接触，所述漏极通过第三过孔与所述遮光金属层相接触，所述像素电极通过第四过孔与所述源极相接触。其中，所述源极、所述漏极、所述栅极、以及所述遮光金属层的表面均设置有减反层，所述减反层为复合无机物薄膜结构。

进一步的，所述复合无机物薄膜结构包括铜膜、位于所述铜膜上的钼膜、以及位于所述钼膜上的氧化钼膜。

进一步的，所述钼膜的厚度范围为4纳米至6纳米，所述氧化钼膜的厚度范围为60纳米至80纳米。

进一步的，所述复合无机物薄膜结构包括铜膜、位于所述铜膜上的第一氧化铟锡膜、以及位于所述第一氧化铟锡膜上的钼膜。

进一步的，所述第一氧化铟锡膜的厚度范围为30纳米至50纳米，所述钼膜的厚度范围为4纳米至6纳米。

进一步的，所述复合无机物薄膜结构包括铜膜、位于所述铜膜上的第二氧化铟锡膜、位于所述第二氧化铟锡膜上的钼膜、以及位于所述钼膜上的第三氧化铟锡膜。

进一步的，所述第二氧化铟锡膜的厚度范围为20纳米至40纳米，所述钼膜的厚度范围为8纳米至12纳米，所述第三氧化铟锡膜的厚度范围为40纳米至80纳米。