[发明专利]半导体硫化钼-三氧化二铁复合纳米材料红外诱导杀菌及其应用

权利要求书

1.一种半导体硫化钼-三氧化二铁复合纳米材料，其特征在于，包括如下步骤：

（1）称取8-16mmol的七水合硫酸亚铁加入15-30ml的去离子水中，作为溶液一，称取1.6-3.2mmol的次氯酸钠加入到16-32ml去离子水中，作为溶液二；

（2）将溶液二逐滴加入到溶液一中，并不断搅拌，直到出现淡黄色透明溶液，作为溶液三，将溶液三移入100ml的聚四氟乙烯高压反应釜中，160-180℃下加热反应12-14h；待冷却到室温后，离心分离得到沉淀物，分别用去离子水和无水乙醇清洗，40-60℃烘干，研磨，得到三氧化二铁；

（3）称取5-10mmol的硫脲和1-2mmol的钼酸钠于60ml去离子水中，再加入0.05-1g的步骤（2）中的三氧化二铁纳米粒子得到混合液，将混合液置于100ml高压釜中，加热至180-200度，反应20-22小时后，冷却到室温，得到黑色混合沉淀物；

（4）将步骤（3）中的黑色混合沉淀物离心分离，分别用去离子水和无水乙醇洗涤， 50-60度干燥得到半导体硫化钼-三氧化二铁复合纳米材料。

2.根据权利要求1所述的一种半导体硫化钼-三氧化二铁复合纳米材料，其特征在于，步骤（2）中，将溶液二逐滴加入到溶液一中，反应温度为160-180℃，反应时间为12-14小时，干燥温度为40-60℃。

3.根据权利要求1所述的一种半导体硫化钼-三氧化二铁复合纳米材料，其特征在于，步骤（3）中，加热反应温度为180-200℃，反应时间为20-22小时。

4.利用权利要求1所述的一种半导体硫化钼-三氧化二铁复合纳米材料红外诱导杀菌应用，其特征在于，

将步骤（4）所得半导体硫化钼-三氧化二铁复合纳米材料用于红外抑制大肠杆菌，具体过程如下：

a) 实验前准备：准备15ml玻璃试管若干、5ml玻璃试管若干、1.5ml离心管若干、胰酪大豆蛋白胨液体培养基（TSB）、胰酪大豆蛋白胨固体培养基、PBS缓冲液、0.85%生理盐水，全部进行高压蒸汽灭菌121度、40分钟，备用，胰酪大豆蛋白胨固体培养基冷却到60度，倾倒平板，等待凝固，形成固体培养皿；

b) 摇菌：取15ml玻璃试管，加入10-12ml的胰酪大豆蛋白胨液体培养基（TSB），接种大肠杆菌，将15ml玻璃试管置于恒温振荡器，在37度下，160r/min培养18-20小时，使得菌落计数达到约5×10⁸ CFU/mL；

c) 取900微升b)中的菌液于1.5ml的离心管中，在转速为7000 rpm的高速冷冻离心机中离心5 min收集细菌细胞，在900微升PBS缓冲液中重新悬浮细菌细胞，重复三次，第三次用0.85%生理盐水悬浮；

d) 分别取450-500微升c)中的细菌悬浮液于45-50ml的0.85%生理盐水中，混匀后得到混合液，再分别取多个1-3ml的混合液于5ml玻璃试管中，在5ml玻璃试管分别加入0.1-0.3mg步骤（4）的硫化钼-三氧化二铁复合纳米材料；

e) 打开近红外激光发射器，照射d)中的5ml玻璃试管0-30分钟，在不同时间点从5ml玻璃试管中取100微升，涂平板，将培养皿放置恒温培养箱中，30-37度下培养24-36小时，计数。

5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，步骤c)中，所述大肠杆菌培养时间为18-20小时。

6.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，步骤d)中，所述硫化钼-三氧化二铁复合纳米材料的量为0.1-0.3mg。

7.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，步骤e)中，近红外照射时间为0-30分钟，涂板后培养皿培养温度为30-37度，培养时间为24-36小时。