[发明专利]一种紫光LED激发的改良白光光源在审
申请号: | 202010336863.1 | 申请日: | 2020-04-26 |
公开(公告)号: | CN111430525A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 李达明;吴明华 | 申请(专利权)人: | 深圳市汉唐邦科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50;C09K11/64;F21K9/64 |
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地址: | 518101 广东省深圳市宝安区石岩*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紫光 led 激发 改良 白光 光源 | ||
1.一种紫光LED激发的改良白光光源,其特征在于,该紫光LED激发的改良白光光源的氮化铝基荧光粉包括以下组分:铕掺杂的氮化铝基红色荧光粉、铽掺杂的氮化铝基绿色荧光粉和镝掺杂的氮化铝基蓝色荧光粉,所述的铕掺杂的氮化铝基红色荧光粉、铽掺杂的氮化铝基绿色荧光粉和镝掺杂的氮化铝基蓝色荧光粉按照重量比1:0.5:0.5。
2.如权利要求1所述的紫光LED激发的改良白光光源,其特征在于,所述的氮化铝基荧光粉的制备方法具体包括以下步骤:
S101:Al与混合材质的称取;
S102:Al与混合材质的压片处理;
S103:压片成品的充氨气处理;
S104:压片成品的充氮气处理;
S105:荧光粉的冷却获得。
3.如权利要求2所述的紫光LED激发的改良白光光源,其特征在于,在步骤S101和S102中,所述的按照Al与铕(铽、镝)摩尔比为1:(0.05-0.15)的比例,称取Al和氧化铕(氧化铽、氧化镝))混合均匀后压片。
4.如权利要求2所述的紫光LED激发的改良白光光源,其特征在于,在步骤S103和S104中,所述的压片后放入抽真空并充入氮气的反应炉中,向炉内通入纯度为99%的氨气,加热至800-1100℃,保温氮化1-2h,得到氮化产物,将炉内氨气转换成99%氮气,继续升温至1200-1500℃固溶保温1-2h。
5.如权利要求2所述的紫光LED激发的改良白光光源,其特征在于,所述的铕掺杂的氮化铝基红色荧光粉为和纳米非晶氮化硅粉体混合的复合红色荧光粉;所述的铽掺杂的氮化铝基绿色荧光粉也为和纳米非晶氮化硅粉体混合的复合绿色荧光粉;所述的镝掺杂的氮化铝基蓝色荧光粉均也为和纳米非晶氮化硅粉体混合的复合蓝色荧光粉。
6.如权利要求5所述的紫光LED激发的改良白光光源,其特征在于,所述的复合红色荧光粉中纳米非晶氮化硅粉体的占比为25-35%;所述的复合绿色荧光粉中纳米非晶氮化硅粉体的占比为25-35%;所述的复合蓝色荧光粉中纳米非晶氮化硅粉体的占比为25-35%。
7.如权利要求1所述的紫光LED激发的改良白光光源,其特征在于,一种紫光LED激发的改良白光光源的制备方法具体包括以下步骤:
S201:纳米非晶氮化硅粉体和荧光粉的混合;
S202:复合荧光粉的造粒;
S203:复合荧光粉体的炼胶混合;
S204:复合荧光粉在LED芯片的涂胶。
8.如权利要求7所述的紫光LED激发的改良白光光源,其特征在于,在步骤S201和S202中,先将纳米非晶氮化硅粉体和荧光粉放入高速捣碎机搅拌造粒,得到复合荧光粉。
9.如权利要求1所述的紫光LED激发的改良白光光源,其特征在于,所述的紫光LED激发的改良白光光源包括光源安装基座(1),LED晶片(2),硅胶填充体(3)和荧光粉体(4),所述的LED晶片(2)固定在光源安装基座(1)上,然后将光源安装基座1放入所述的荧光粉体(4)内部,所述的荧光粉体(4)内填充硅胶填充体(3),LED晶片(2)发出的光,经过荧光粉体(4)的激发产生白光。
10.如权利要求9所述的紫光LED激发的改良白光光源,其特征在于,所述的该光源受刺激后发出连续波长450nm~550nm的白光;所述的半波宽约55nm-65nm。
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