[发明专利]一种基于漂移阶跃恢复二极管的重频纳秒脉冲产生电路有效
| 申请号： | 202010335052.X | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111431509B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 谢彦召;赖雨辰;王海洋 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H03K3/021 | 分类号： | H03K3/021;H03K3/012;H03K17/567 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 房鑫 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 漂移 阶跃恢复二极管 重频纳秒 脉冲 产生 电路 | ||
1.一种基于漂移阶跃恢复二极管的重频纳秒脉冲产生电路，其特征在于，包括充电回路、初级脉冲形成回路及脉冲形成回路，其中，所述脉冲形成回路包括可饱和脉冲变压器(SPT)、次级储能电容(C2)、DSRD开关组件(DSRD)及阻性负载(RL)；
充电回路的输出端与初级脉冲形成回路的输入端相连接，初级脉冲形成回路的输出端与可饱和脉冲变压器(SPT)的原边绕组相连接，可饱和脉冲变压器(SPT)中次级绕组的一端与次级储能电容(C2)的一端相连接，次级储能电容(C2)的另一端与DSRD开关组件(DSRD)的正极及阻性负载(RL)的一端相连接，可饱和脉冲变压器(SPT)中次级绕组的另一端、DSRD开关组件(DSRD)的负极及阻性负载(RL)的另一端均接地；
所述充电回路包括充电电源(U)、库电容(C0)、第一充电电感(L0)、续流二极管(D1)及续流电阻(R1)；
充电电源(U)的正极与库电容(C0)的一端及第一充电电感(L0)的一端相连接，第一充电电感(L0)的另一端与初级脉冲形成回路的输入端及续流二极管(D1)的负极相连接，续流二极管(D1)的另一端与续流电阻(R1)的一端相连接，充电电源(U)的负极、续流电阻(R1)的另一端及库电容(C0)的另一端均接地。
2.根据权利要求1所述的基于漂移阶跃恢复二极管的重频纳秒脉冲产生电路，其特征在于，初级脉冲形成回路包括初级储能电容(C1)、触发开关(S1)及第二充电电感(L1)，其中，第一充电电感(L0)与初级储能电容(C1)的一端及触发开关(S1)的一端相连接，触发开关(S1)的另一端与可饱和脉冲变压器(SPT)中初级线圈的一端相连接，可饱和脉冲变压器(SPT)中初级线圈的另一端与第二充电电感(L1)的一端相连接，第二充电电感(L1)的另一端及初级储能电容(C1)的另一端均接地。
3.根据权利要求1所述的基于漂移阶跃恢复二极管的重频纳秒脉冲产生电路，其特征在于，充电电源(U)为脉冲发电机。
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