[发明专利]一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片及制备方法

权利要求书

1.一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片，其特征在于：所述单晶硅片形成有金字塔状结构，所述金字塔状结构的塔顶和塔谷的剖面均为弧形圆角。

2.根据权利要求1所述的一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片，其特征在于：所述金字塔顶的圆角曲率半径为5nm-210nm，所述金字塔谷的圆角曲率半径为5nm-210nm。

3.一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1：预清洗，在含臭氧的溶液或双氧水与碱液的混合溶液中清洗硅片；

步骤2：制绒，在含有制绒添加剂的碱性溶液中对硅片进行制绒；

步骤3：圆角化处理，刻蚀硅片的圆角化处理液包括硝酸、氢氟酸和臭氧三种化学品；

步骤4：酸洗，在氢氟酸溶液中清洗硅片去除氧化层；

步骤5：慢提拉，在纯水中清洗硅片后将硅片从水中缓慢提出；

步骤6：烘干，使用洁净空气或氮气烘干硅片。

4.根据权利要求3所述的一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述的步骤3的圆角化处理工艺中，将上一步骤中的硅片首先以硝酸和氢氟酸的第一混合溶液作为圆角化处理液对硅片进行刻蚀；其次再以臭氧和氢氟酸的第二混合溶液作为圆角化处理液对硅片进行刻蚀，所述第一混合溶液中氢氟酸的质量分数为0.1%-5%，硝酸的质量分数为20%-70%，所述第二混合溶液中氢氟酸的质量分数为0.1%-5%，臭氧的浓度为10-100ppm，所述每步刻蚀的温度均在为10-40℃，刻蚀时间均为0.1-10min。

5.根据权利要求3所述的一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述的步骤3的圆角化处理工艺中，将上一步骤中的硅片首先以臭氧和氢氟酸的第一混合溶液作为圆角化处理液对硅片进行刻蚀，其次再以硝酸和氢氟酸的第二混合溶液作为圆角化处理液对硅片进行刻蚀，所述第一混合溶液中氢氟酸的质量分数为0.1%-5%，臭氧的浓度为10-100ppm，所述第二混合溶液中氢氟酸的质量分数为0.1%-5%，硝酸的质量分数为20%-70%，所述每步刻蚀的温度均在为10-40℃，刻蚀时间均为0.1-10min。

6.根据权利要求3所述的一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述的步骤3的圆角化处理工艺中，将上一步骤中的硅片在以氢氟酸、硝酸和臭氧的混合溶液作为圆角化处理液进行刻蚀，所述混合溶液中氢氟酸的质量分数为0.1%-5%，硝酸的质量分数为20%-70%，臭氧的浓度为10-100ppm。

7.根据权利要求3-6任一项所述的一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片的制备方法，其特征在于：步骤1中所述的碱液采用氢氧化钾、氢氧化钠、氨水中的一种或几种。

8.根据权利要求3所述的一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片的制备方法，其特征在于：还包括SC1清洗工序，在双氧水和碱液的混合溶液中以50-80℃的温度范围对硅片清洗1-10min，设置于步骤3前一步或者步骤3后一步。

9.根据权利要求8所述的一种具有圆角金字塔结构的单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述SC1清洗工序中的碱液采用氢氧化钾、氢氧化钠、氨水中的一种或几种。