[发明专利]一种LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其中，包括：

衬底；

第一LED结构和第二LED结构，所述第一LED结构和第二LED结构共用所述衬底。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其中，所述第一LED结构包括：

位于所述衬底的第一表面上的第一外延层，所述第一外延层包括由下向上依次设置的第一半导体层、第一发光层和第二半导体层；

第一PN台阶，位于所述第一外延层中，所述第一PN台阶的第一上台阶面为所述第二半导体层，第一下台阶面为所述第一半导体层，所述第一上台阶面和所述第一下台阶面之间连接形成第一PN台阶侧面；

第一电流扩展层，位于所述第二半导体层上，覆盖部分所述第二半导体层；

第一电极，位于所述第一半导体层上，与所述第一半导体层电连接；

第二电极，与所述第一电极彼此隔离，位于所述第一电流扩展层上，通过所述第一电流扩展层与所述第二半导体层电连接；

所述第二LED结构包括：

位于所述衬底的第二表面上的第二外延层，所述第二外延层包括由上向下依次设置的第三半导体层、第二发光层和第四半导体层；

第二PN台阶，位于所述第二外延层中，所述第二PN台阶的第二上台阶面为所述第三半导体层，第二下台阶面为所述第四半导体层，所述第二上台阶面和所述第二下台阶面之间连接形成第二PN台阶侧面；

第二电流扩展层，位于所述第四半导体层下，覆盖部分所述第四半导体层；

第三电极，位于所述第三半导体层下，与所述第三半导体层电连接；

第四电极，与所述第三电极彼此隔离，位于所述第二电流扩展层下，通过所述第二电流扩展层与所述第四半导体层电连接。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其中，所述第一电流扩展层具有第一开口，所述第一开口暴露出部分所述第二半导体层，所述第二电极，通过所述第一开口与所述第二半导体层电连接；

所述第二电流扩展层具有第二开口，所述第二开口暴露出部分所述第四半导体层，所述第四电极通过所述第二开口与所述第四半导体层电连接。

4.根据权利要求3所述的LED芯片，其中，所述第一电极与所述第三电极彼此隔离，所述第二电极与所述第四电极彼此隔离。

5.根据权利要求3所述的LED芯片，其中，所述第一电极与所述第三电极电连接，所述第二电极与所述第四电极电连接。

6.根据权利要求4所述的LED芯片，其中，所述第一LED结构还包括：

第一钝化层，位于所述第一电极和所述第二电极上，覆盖暴露的所述第一电流扩展层、所述第一半导体层、所述第二半导体层以及所述第一PN台阶侧面，所述第一钝化层包括第三开口和第四开口，通过所述第三开口露出所述第一电极，通过所述第四开口露出所述第二电极；

所述第二LED结构还包括：

第二钝化层，位于所述第三电极和所述第四电极下，覆盖暴露的所述第二电流扩展层、所述第三半导体层、所述第四半导体层以及所述第二PN台阶侧面，所述第二钝化层包括第五开口和第六开口，通过所述第五开口露出所述第三电极，通过所述第六开口露出所述第四电极。

7.根据权利要求5所述的LED芯片，其中，所述第一LED结构和所述第二LED结构还包括：

第一导通孔，位于所述第一PN台阶的第一下台阶面和所述第二PN台阶的第二上台阶面，贯穿所述第一半导体层、所述衬底和所述第三半导体层；

第二导通孔，位于所述第一开口和所述第二开口内，贯穿所述第一半导体层、所述第一发光层、所述第二半导体层、所述第一电流扩展层、所述衬底、所述第三半导体层、所述第二发光层、所述第四半导体层和所述第二电流扩展层。