[发明专利]OLED器件的制备方法及显示面板的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010334077.8 申请日: 2020-04-24
公开(公告)号: CN111509144B 公开(公告)日: 2022-09-30
发明(设计)人: 贾文斌;马凯葓;叶志杰 申请(专利权)人: 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;B41M5/00;B41M7/00
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 曾莺华
地址: 230012 安徽省合肥市新*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: oled 器件 制备 方法 显示 面板
【说明书】:

本申请提供一种OLED器件的制备方法及显示面板的制备方法,能够有效降低攀爬效应,提高膜厚的均匀性,提高器件有效开口率,提升显示面板寿命。该OLED器件的制备方法包括:在像素界定层的容纳部中形成墨滴,墨滴用以形成有机功能层,墨滴包括溶剂和溶质,溶剂包括第一溶剂、第二溶剂;通过真空冷凝干燥工艺使墨滴形成有机功能层,包括:调节真空干燥设备的真空度至第一真空度,以使容纳部中的墨滴中的第一溶剂逸出,保持第一真空度至完成去除第一溶剂;调节真空干燥设备的真空度至第二真空度,以使容纳部中的墨滴中的第二溶剂逸出,保持第二真空度至完成去除第二溶剂。该显示面板的制备方法包括该OLED器件的制备方法。

技术领域

本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED器件的制备方法及显示面板的制备方法。

背景技术

有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Device;OLED)作为一种新型的发光器件在显示和照明领域体现出了巨大的应用潜力,因而受到了学术界和产业界的强烈关注。在显示领域,有机电致发光器件(OLED)相对于LCD具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。

现有技术中,通常会利用喷墨打印等工艺形成OLED显示基板的有机功能层薄膜,例如,在制备OLED显示基板中的各子像素时,预先在基板上制作像素界定层(PDL),通过PDL中的各容纳部限定出各子像素的形状,然后通过喷墨打印向各容纳部中滴入相应的墨滴,经干燥形成子像素的有机功能层。

由于PDL采用顶部表面能较小而底部表面能较大的双功能材料,PDL顶部表面能小使得表层具备疏液性从而保证墨滴不会溢流,PDL底部表面能大使得底层具备一定的亲液性,从而保证墨滴在容纳部内铺展完全以避免墨滴在容纳部铺展不完全而产生的针孔漏电现象,但是目前PDL材料一般只能做到顶部表面很薄一层具备疏液性,而PDL材料下部大部分厚度均具备亲液性,两侧的PDL对墨水溶液有很强的亲和力,这样由于墨滴在干燥过程中会沿着PDL亲液层攀爬至疏液层高度形成边缘厚,中间厚的不均匀薄膜,这种不均匀的薄膜容易导致器件像素内发光不均匀,进而影响器件的寿命表现。

并且,在干燥的过程中墨滴边缘处的蒸发速率相对于墨滴中心处的蒸发速率较快,墨滴边缘处的溶剂在相同的时间内损失的较多,使墨滴边缘处与墨滴中心处出现浓度梯度差,从而引起墨滴中心处的溶剂向墨滴边缘处流动,带动部分溶质被迁移到了墨滴边缘处,进而在干燥过程中,溶质墨滴边缘处形成了堆积,形成边缘厚,中间厚的不均匀薄膜(也即咖啡环结构)。而这种不均匀的薄膜容易导致子像素发光不均匀,影响OLED显示面板的寿命表现。

为了降低攀爬效应,目前的主流解决方案有四种:

1)降低容纳部的高度,如从1.5um降低1.0um,但是像素的最大容纳量降低,有溢流风险;

2)提高容纳部的坡度角,坡度角降低可以降低墨滴的攀爬效应,但是目前曝光显影刻蚀的工艺问题(主要是曝光量会随着深度降低),实施起来较为困难;

3)提高容纳部侧壁的疏液性,目前材料供应厂商还未解决;

4)通过快速抽真空的方式使得干燥墨滴的真空装置(VCD)的真空度降至最低,从而降低攀爬效应,但是,容易出现两边薄中间厚的状况,无法充分解决膜厚均匀性的问题。

因此,如何有效降低墨滴在干燥过程中的攀爬效应,得到膜厚均匀性的有机功能层,是本领域亟待解决的技术难题。

发明内容

本申请提供一种OLED器件的制备方法及显示面板的制备方法,以有效缓解墨滴在干燥过程中的攀爬效应而造成的膜层两边厚中间薄的现象,提高有机功能层的膜厚均匀性,提高器件有效开口率,提升显示面板寿命。

根据本申请实施例的第一方面,提供一种OLED器件的制备方法。所述OLED器件的制备方法包括:

在基底上形成像素界定层,并在所述像素界定层中形成容纳部;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010334077.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top