[发明专利]一种晶圆激光隐形切割的加工工艺

说明书

本发明涉及一种晶圆激光隐形切割的加工工艺，包括以下步骤：步骤1：将来料晶圆不贴膜放入激光加工设备上，背面放在加工平台上真空吸附；步骤2：通过激光加工设备对晶圆的正面进行激光开槽处理，开槽后将晶圆的正面进行贴BG膜，步骤3：将其放入研磨设备进行背面研磨，使晶圆减薄至预设厚度；步骤4：将晶圆放入激光隐形切割机，晶圆的正面朝下放在加工平台上真空吸附，接着通过激光隐形切割机内的红外相机进行对位加工；步骤5：激光隐形切割完后在晶圆背面进行贴UV膜并贴在钢环上，此时晶圆正面贴着BG膜，晶圆背面贴在带钢环的UV膜上，将晶圆取下并撕掉正面的BG膜，再对晶圆扩膜处理，将切割完成的晶圆分为独立的晶粒。本发能提高工作效率。

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种晶圆激光隐形切割的加工工艺。

背景技术

随着晶圆功能结构的提升，晶圆正面对光照和灰尘越来越敏感，因此在晶圆加工过程中尽可能减少晶圆正面显露出来的时间。目前的电子元器件上使用金刚石磨轮刀片进行切割，整个加工流程中晶圆正面都是显露在空气中，速度较慢且金刚石磨轮刀片是易耗品，后期耗材成品较高。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种晶圆激光隐形切割的加工工艺。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种晶圆激光隐形切割的加工工艺，包括以下步骤：

步骤1：将来料晶圆不贴膜放入激光加工设备上，背面放在加工平台上真空吸附；

步骤2：通过激光加工设备对晶圆的正面进行激光开槽处理，开槽后将晶圆的正面进行贴BG膜；

步骤3：在步骤2开槽贴膜后，将其放入研磨设备进行背面研磨，使晶圆减薄至预设厚度；

步骤4：在步骤3完成预设厚度后，将晶圆放入激光隐形切割机，晶圆的正面朝下放在加工平台上真空吸附，接着通过激光隐形切割机内的红外相机进行对位加工；

步骤5：激光隐形切割完后在晶圆背面进行贴UV膜并贴在钢环上，此时晶圆正面贴着BG膜，晶圆背面贴在带钢环的UV膜上，接着将晶圆取下并撕掉正面的BG膜，再对晶圆扩膜处理，将切割完成的晶圆分为独立的晶粒。

优选地，所述的一种晶圆激光隐形切割的加工工艺，所述步骤4中对位加工是指晶圆背面与晶圆正面开槽相对应的加工。

优选地，所述的一种晶圆激光隐形切割的加工工艺，所述步骤1中晶圆的开槽深度≤20um，开槽宽度≤160um。

优选地，所述的一种晶圆激光隐形切割的加工工艺，所述步骤3中预设厚度为≤800um。

优选地，所述的一种晶圆激光隐形切割的加工工艺，所述步骤5中晶圆在扩膜设备上进行扩膜。

优选地，所述的一种晶圆激光隐形切割的加工工艺，所述晶圆开槽采用紫外纳秒激光器，其中，紫外纳秒激光器频率40KHZ时功率大于13W，脉宽90±30NS，频率200KHZ时功率大于4W，脉宽210±30NS。

优选地，所述的一种晶圆激光隐形切割的加工工艺，所述紫外纳秒激光器可以针对晶圆进行整形处理，整形处理方式如下，紫外纳秒激光器射出的激光先一分为二，变成两路光，一路为修边，一路为挖槽，修边再通过电机带动的分光镜又分为可改变宽度的两路光，挖槽通过平凹和平凸两块柱面透镜整形为椭圆光斑，其中，两块柱面透镜的焦距需满足1≤平凸/平凹≤3，加工晶圆时根据产品实际加工宽度，先是修边划出两条安全线，宽度为产品实际加工宽度，再用挖槽把两条安全线中间区域去除干净。

优选地，所述的一种晶圆激光隐形切割的加工工艺，所述步骤4中激光隐形切割机为红外纳秒激光器，其中，频率50-100KHZ，频率100KHZ时功率大于4W，脉宽100±30NS，再结合红外相机通过晶圆背面透光看见晶圆正面图形，抓取特征点进行对位加工。