[发明专利]一种耐腐蚀防护薄膜及其制备方法和应用有效
申请号: | 202010331093.1 | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN111441016B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 胡明;伏彦龙;王德生;姜栋;王琴琴;杨军;孙嘉奕;翁立军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32;C23C14/16;C23C14/58;C23C14/02;C23C14/54 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 马小星 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 腐蚀 防护 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种耐腐蚀防护薄膜,其特征在于,所述耐腐蚀防护薄膜为多层结构,所述多层结构由基体表面至薄膜表面依次为金属M层、金属M与M2O5混合过渡层和M2O5层;所述M为V、Nb或Ta;
所述耐腐蚀防护薄膜的制备方法,包括以下步骤:
(1)在基体表面采用离子镀方法沉积金属M,在基体表面形成金属薄膜;所述M为V、Nb或Ta;
(2)采用原子氧束流辐照所述金属薄膜,在基体表面原位形成耐腐蚀防护薄膜;所述原子氧束流能量为4~10eV,辐照时间为60~180min。
2.根据权利要求1所述的耐腐蚀防护薄膜,其特征在于,所述耐腐蚀防护薄膜中金属M层的厚度为0.2~1.0μm;所述金属M与M2O5混合过渡层的厚度为0.4~1.5μm;所述M2O5层的厚度为0.4~1.5μm;所述耐腐蚀防护薄膜的厚度为1.0~4.0μm。
3.权利要求1或2所述耐腐蚀防护薄膜的制备方法,包括以下步骤:
(1)在基体表面采用离子镀方法沉积金属M,在基体表面形成金属薄膜;所述M为V、Nb或Ta;
(2)采用原子氧束流辐照所述金属薄膜,在基体表面原位形成耐腐蚀防护薄膜;所述原子氧束流能量为4~10eV,辐照时间为60~180min。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述(1)离子镀方法中靶材的材质为金属钒、铌或钽;所述靶材的纯度≥99.9%;靶材表面与基体表面之间的法线夹角≤20°;靶材表面的中心与基体表面中心连线距离为150~450mm。
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述(1)中离子镀方法的工作气体为氩气,气体分压为0.08~1.0Pa,靶电压为20~25V,电流为60~100A,工件偏压为-50~-800V,薄膜沉积时间为10~60min。
6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述(1)形成的金属薄膜的厚度为1.0~4.0μm。
7.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述(2)中原子氧束流能量为6~10eV。
8.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述(1)中的基体为金属基体,不包括铝合金和镁合金。
9.根据权利要求3或8所述的制备方法,其特征在于,所述(1)中在基体表面沉积金属M之前,对基体依次进行抛光、溶剂洗和辉光清洗,所述抛光采用水砂纸手工研磨方式或者机械研磨方式进行;所述辉光清洗的氩气压力为1~3Pa,基体偏压为-300~-800V。
10.权利要求1或2所述耐腐蚀防护薄膜或者权利要求3~9任意一项所述方法制备得到的耐腐蚀防护薄膜在保护基体中的应用。
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