[发明专利]具有U形结构的半导体器件及其制造方法及电子设备在审
| 申请号： | 202010329915.2 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111477684A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;李晨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体器件 及其 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种半导体器件，包括：
沿相对于衬底的竖直方向延伸、且彼此对置的第一鳍片和第二鳍片；
连接纳米片，将所述第一鳍片和所述第二鳍片的底端相连接，从而形成U形结构，
其中，所述连接纳米片与所述衬底的顶面间隔开。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接纳米片实质上平行于所述衬底的顶面延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述U形结构一体延伸，具有实质上均匀的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述U形结构包括与所述衬底不同的材料。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一鳍片和所述第二鳍片的顶面相对于所述衬底的顶面处于实质上相同的高度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
所述衬底上在第一方向上处于所述U形结构的相对两侧且与所述U形结构相接的源/漏部；以及
所述衬底上沿与所述第一方向相交的第二方向延伸且与所述U形结构相交的栅堆叠。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述栅堆叠环绕所述U形结构。
8.根据权利要求6或7所述的半导体器件，还包括：设于所述栅堆叠与所述衬底之间的隔离层。
9.根据权利要求6或7所述的半导体器件，其中，在所述衬底上设置有多个所述半导体器件，所述多个半导体器件中至少一对在所述第一方向上相邻的半导体器件各自的所述第一鳍片实质上共面，各自的所述第二鳍片实质上共面，且各自的所述连接纳米片实质上共面。
10.根据权利要求6或7所述的半导体器件，还包括设置在所述栅堆叠的侧壁上的栅侧墙，所述栅侧墙包括在所述U形结构之上的第一部分以及所述U形结构之下的第二部分。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，在所述衬底上设置有多个所述半导体器件，所述多个半导体器件中至少一对在所述第二方向上相邻的半导体器件各自的栅侧墙彼此一体连续延伸。
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述栅侧墙的第一部分和第二部分具有相同的材料，并具有实质上相同的厚度。
13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述栅侧墙的第一部分和第二部分各自的内侧壁在竖直方向上实质上对准。
14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，
在所述衬底上设置有多个所述半导体器件，所述多个半导体器件中在所述第一方向上相邻的半导体器件之间通过隔离部彼此电隔离，其中，所述隔离部在所述第一方向上的范围由沿所述第二方向延伸的虚设栅侧墙限定。
15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述半导体器件的源/漏部的顶部在所述第一方向上的范围由所述半导体器件的栅侧墙以及所述虚设栅侧墙限定。
16.根据权利要求6或7所述的半导体器件，其中，
在所述衬底上设置有多个所述半导体器件，所述多个半导体器件中在所述第一方向上相邻的半导体器件之间通过隔离部彼此电隔离，其中，所述隔离部沿所述第二方向延伸。
17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，所述源/漏部沿所述第二方向延伸，
所述半导体器件还包括：介于所述栅堆叠与所述源/漏部之间的栅侧墙以及介于所述源/漏部与所述隔离部之间的虚设栅侧墙，所述栅侧墙与所述虚设栅侧墙具有在所述第一方向上实质上相同的厚度。
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