[发明专利]半导体存储器高低温老化测试设备有效
申请号: | 202010329467.6 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN111551839B | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 陈凯;彭骞 | 申请(专利权)人: | 武汉精测电子集团股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R1/04;G01R1/02 |
代理公司: | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人: | 黄行军 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储器 低温 老化 测试 设备 | ||
1.一种半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:包括第一温度区(10)、第二温度区(30)以及设置在所述第一温度区(10)和所述第二温度区(30)之间的隔离区(20);
所述第一温度区(10)内设置有用于进行半导体存储器高低温老化测试的老化测试板卡(11),所述隔离区(20)内放置有直通板(21),所述第二温度区(30)设置有站点板(31),所述老化测试板卡(11)、所述直通板(21)、所述站点板(31)依次电连接;
所述隔离区(20)靠近所述第一温度区(10)一侧设有第一刚性支撑板(24),靠近所述第二温度区(30)一侧设有第二刚性支撑板(25),所述第一刚性支撑板(24)与所述第二刚性支撑板(25)之间设有隔热填料层(23);在所述隔离区(20),所述直通板(21)包裹在所述隔热填料层(23)中;
所述隔离区(20)还包括直通框(22),所述直通板(21)设置于所述直通框(22)中,所述直通框(22)包裹在所述隔热填料层(23)中;所述直通框(22)包括两块垂直于Z方向且相对设置的底板(221)及两块垂直于X方向且相对设置的侧板(222),所述直通框(22)垂直于Y方向的两侧面分别固定至所述第一刚性支撑板(24)与所述第二刚性支撑板(25)。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:还包括向所述第一温度区(10)通气对所述老化测试板卡(11)进行降温的散热气路,所述散热气路具有第一分支气路,所述第一分支气路用于向所述直通板(21)通气。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:还包括向所述第一温度区通气对老化测试板卡(11)进行降温的散热气路,所述散热气路具有第二分支气路,所述直通框(22)的两个所述侧板(222)上各设置有至少一个进气口(26),所述第二分支气路连接至所述进气口(26)。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:所述底板(221)与所述侧板(222)上分别开设有多个通孔。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:所述第一刚性支撑板(24)上设有供所述老化测试板卡(11)上的导销插接的导套,所述第二刚性支撑板(25)上开设供所述直通板(21)穿过的开口。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:所述第一刚性支撑板(24)、所述第二刚性支撑板(25)为厚度1mm~2mm的不锈钢板。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:所述隔热填料层(23)采用柔性隔热填充物,所述隔热填料层(23)的厚度为75mm~125mm。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:所述老化测试板卡(11)、所述直通板(21)、所述站点板(31)依次水平电连接成一个测试功能层,所述测试设备设置有多层所述测试功能层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉精测电子集团股份有限公司,未经武汉精测电子集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010329467.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。