[发明专利]半导体存储器高低温老化测试设备有效

专利信息
申请号: 202010329467.6 申请日: 2020-04-23
公开(公告)号: CN111551839B 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 陈凯;彭骞 申请(专利权)人: 武汉精测电子集团股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R1/04;G01R1/02
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 黄行军
地址: 430205 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储器 低温 老化 测试 设备
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:包括第一温度区(10)、第二温度区(30)以及设置在所述第一温度区(10)和所述第二温度区(30)之间的隔离区(20);

所述第一温度区(10)内设置有用于进行半导体存储器高低温老化测试的老化测试板卡(11),所述隔离区(20)内放置有直通板(21),所述第二温度区(30)设置有站点板(31),所述老化测试板卡(11)、所述直通板(21)、所述站点板(31)依次电连接;

所述隔离区(20)靠近所述第一温度区(10)一侧设有第一刚性支撑板(24),靠近所述第二温度区(30)一侧设有第二刚性支撑板(25),所述第一刚性支撑板(24)与所述第二刚性支撑板(25)之间设有隔热填料层(23);在所述隔离区(20),所述直通板(21)包裹在所述隔热填料层(23)中;

所述隔离区(20)还包括直通框(22),所述直通板(21)设置于所述直通框(22)中,所述直通框(22)包裹在所述隔热填料层(23)中;所述直通框(22)包括两块垂直于Z方向且相对设置的底板(221)及两块垂直于X方向且相对设置的侧板(222),所述直通框(22)垂直于Y方向的两侧面分别固定至所述第一刚性支撑板(24)与所述第二刚性支撑板(25)。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:还包括向所述第一温度区(10)通气对所述老化测试板卡(11)进行降温的散热气路,所述散热气路具有第一分支气路,所述第一分支气路用于向所述直通板(21)通气。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:还包括向所述第一温度区通气对老化测试板卡(11)进行降温的散热气路,所述散热气路具有第二分支气路,所述直通框(22)的两个所述侧板(222)上各设置有至少一个进气口(26),所述第二分支气路连接至所述进气口(26)。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:所述底板(221)与所述侧板(222)上分别开设有多个通孔。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:所述第一刚性支撑板(24)上设有供所述老化测试板卡(11)上的导销插接的导套,所述第二刚性支撑板(25)上开设供所述直通板(21)穿过的开口。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:所述第一刚性支撑板(24)、所述第二刚性支撑板(25)为厚度1mm~2mm的不锈钢板。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:所述隔热填料层(23)采用柔性隔热填充物,所述隔热填料层(23)的厚度为75mm~125mm。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器高低温老化测试设备,其特征在于:所述老化测试板卡(11)、所述直通板(21)、所述站点板(31)依次水平电连接成一个测试功能层,所述测试设备设置有多层所述测试功能层。

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