[发明专利]一种单晶硅方棒外圆磨削方法

说明书

本发明提供一种单晶硅方棒外圆磨削方法，步骤包括：粗磨：执行粗砂轮对硅方棒的棱线进行粗磨，所述硅方棒以设定速度沿其轴线移动；精磨：执行精砂轮对所述棱线进行精磨，所述硅方棒以设定速度沿其轴线移动，并以设定转速沿所述棱线与所述精砂轮接触的连接线为中心线做循环往复转动。本发明提出的磨削方法，解决了现有技术中硅方棒倒角加工容易生产偏角弧形结构的技术问题，制造精度高，获得硅方棒外圆倒角一致性好且均匀对称。

技术领域

本发明属于直拉单晶方棒加工技术领域，尤其是涉及一种单晶硅方棒外圆磨削方法。

背景技术

太阳能硅片是由单晶圆棒去边皮磨削形成单晶方棒后再线切割加工而成，单晶方棒是加工硅片的基础，单晶方棒加工的好坏直接影响着硅片质量。单晶方棒的四个直角处应力较集中，若不去除倒角，在线切割过程中容易从直角处产生裂纹，导致硅片直接碎片，严重影响硅片成品率。单晶方棒去除倒角的方法主要是砂轮磨削加工，在现有加工过程中，单晶方棒固定定向旋转，两个砂轮设置在单晶方棒对角直角处并并行于单晶方棒的长度方向设置，砂轮同步沿单晶方棒直角边的长度方向定向旋转移动，即可对单晶方棒的四条直角边同步进行磨削加工，这样加工出的倒角是偏角弧形结构，如图1所示，顺着单晶方棒旋转的方向，直角边正面与砂轮接触的一侧面的磨损量较大，相应地背对着与砂轮接触的一侧面磨损量较小，导致加工出的四个倒角均为偏角形结构，都与单晶方棒的对角线不对称，使得生产的硅片不合格，在后续太阳能电池的制造中会产生大量废品，生产成本较大。

发明内容

本发明提供一种单晶硅方棒外圆磨削方法，尤其适合大尺寸硅方棒的加工，解决了现有技术中硅方棒倒角加工容易生产偏角弧形结构的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种单晶硅方棒外圆磨削方法，步骤包括：

粗磨：执行粗砂轮对硅方棒的棱线进行粗磨，所述硅方棒以设定速度沿其轴线移动；

精磨：执行精砂轮对所述棱线进行精磨，所述硅方棒以设定速度沿其轴线移动，并以设定转速沿所述棱线与所述精砂轮接触的连接线为中心线做循环往复转动。

进一步的，所述硅方棒沿所述棱线与所述精砂轮接触的连接线为中心线做循环往复转动的转角为锐角。

进一步的，所述硅方棒沿所述棱线与所述精砂轮接触的连接线为中心线做循环往复转动的转角为10-20°。

进一步的，在所述粗磨时，所述硅方棒在入刀阶段和出刀阶段的速度均为200-300mm/min；所述硅方棒稳定阶段速度为400-500mm/min。

进一步的，所述粗砂轮对每组所述棱线磨削均为一次进刀加工，所述粗砂轮进给量为5-8mm/刀。

进一步的，所述粗砂轮粒度为150-250目；所述粗砂轮转速为2500-3500rpm/min。

进一步的，在所述精磨时，所述硅方棒在入刀阶段和出刀阶段的速度均为200-300mm/min；所述硅方棒稳定阶段速度为400-600mm/min；所述硅方棒的转速为15-25rpm/min。

进一步的，所述精砂轮对每组所述棱线磨削均为多次进刀加工，所述精砂轮进给量为0.2-0.5mm/刀。

进一步的，所述精砂轮粒度为800-1000目；所述精砂轮转速为2500-3500rpm/min。

进一步的，所述粗砂轮和所述精砂轮均与所述硅方棒同高设置。