[发明专利]熵稳定陶瓷薄膜涂层，其制备方法以及涂覆有该涂层的元件有效
| 申请号： | 202010327447.5 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111826701B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 卞海东;赫全锋;李泽彪;吕坚;杨勇;李扬扬 | 申请（专利权）人： | 香港城市大学 |
| 主分类号： | C25D11/34 | 分类号： | C25D11/34 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 乔雪微;刘依云 |
| 地址： | 中国香港九龙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 稳定 陶瓷 薄膜 涂层 制备 方法 以及 涂覆有 元件 | ||
1.一种制备本质上坚硬且不易弯曲的熵稳定陶瓷的方法，包括以下步骤：
对包括熵稳定合金的基材进行阳极氧化，该熵稳定合金是由以相等的原子比提供的、选自钛、铝、钒、铬和铌中的三种或更多种的原材料制成的，在包括有基材的阳极、阴极和包括草酸的电解液的双电极电池中，阳极氧化电位为10至100V，持续时间为2小时；和
在基材上形成熵稳定陶瓷作为涂层，其中熵稳定陶瓷是具有介孔结构的无定形近等摩尔氧化物；以及
其中，熵稳定陶瓷的硬度在9GPa至14GPa之间，并具有在140至190 GPa之间的折减模量。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述熵稳定陶瓷紧密地结合到所述基材。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述介孔结构的孔径尺寸为10至50 nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述熵稳定合金选自TiAlV，TiAlVCr和TiAlVNbCr。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述熵稳定陶瓷具有可见的颜色。
6.根据权利要求5所述的方法，其中熵稳定陶瓷的颜色取决于阳极化电位。
7.根据权利要求1所述的方法，其中熵稳定陶瓷的孔隙大小取决于阳极氧化电位。
8.一种通过根据权利要求1所述的方法制备的熵稳定陶瓷，其中，所述熵稳定陶瓷本质上坚硬且不易弯曲，其具有在9至14 GPa之间的硬度，和在140至190 GPa之间的折减模量。
9.根据权利要求8所述的熵稳定陶瓷，其中所述熵稳定陶瓷具有可见的颜色。
10.根据权利要求9所述的熵稳定陶瓷，其中，可见的颜色选自粘土色、深紫色、普鲁士蓝、深灰绿色、灰绿色、橄榄苍白、橙色、紫罗兰色、海洋蓝和孔雀绿。
11.一种涂覆有根据权利要求8所述的熵稳定陶瓷的元件。
12.一种制备本质上坚硬且不易弯曲的熵稳定陶瓷的方法，包括以下步骤：
使用双电极电池对TiAlV基材进行阳极氧化，该电池包括带有TiAlV基材的阳极、阴极和包括草酸的电解质；以及
直接在TiAlV基片上形成由(TiAlV)Ox制成的熵稳定陶瓷膜；
其中，本质上坚硬且不易弯曲的熵稳定陶瓷具有9GPa至14GPa的硬度，并具有140GPa至190GPa的折减模量。
13.根据权利要求12所述的方法，其中阳极氧化是以10至100V的阳极氧化电位进行的，持续时间为2小时。
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