[发明专利]存储器控制器、存储器系统以及操作存储器控制器的方法

说明书

公开存储器控制器、存储器系统以及操作存储器控制器的方法。所述用于控制存储器装置的存储器操作的存储器控制器包括：纠错码(ECC)电路，被配置为：检测从存储器装置读取的第一读取数据的错误并纠正所述错误；错误类型检测逻辑，被配置为：将第一写入数据写入存储器装置，将第二读取数据与第一写入数据进行比较，基于比较的结果检测第二读取数据的错误位，并输出关于通过错误位而识别的错误类型的信息；以及数据图案化逻辑，被配置为：基于关于错误类型的信息改变输入数据的位图案，以减少第二读取数据的错误。

本申请要求于2019年4月29日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0049828号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及存储器控制器，更具体地讲，涉及用于识别写入存储器单元的数据中的错误并避免识别的错误的存储器控制器、包括存储器控制器的存储器系统以及操作存储器控制器的方法。

背景技术

作为非易失性存储器装置，除了闪存之外，电阻式存储器(诸如，相变随机存取存储器(PRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物RAM(PoRAM)、磁性RAM(MRAM)、铁电RAM(FeRAM)、电阻式RAM(RRAM)等)在本领域中也是公知的。电阻式存储器具有闪存的非易失性特征以及动态RAM(DRAM)的高速特性。

当非易失性存储器装置的存储器单元磨损时，数据位可被停滞(stuck)在0或1。在这种情况下，响应于主机的读取请求，可读出具有与先前已经被写入的数据位的值不同的值的数据位。例如，即使0被写入其中数据位被停滞在1的存储器单元，响应于读取请求，1也可被读出。

发明内容

本公开提供一种用于确定写入存储器单元的数据中的错误的类型并避免预定错误的存储器控制器、包括存储器控制器的存储器系统以及操作存储器控制器的方法。

根据本公开的一个方面，提供一种用于控制存储器装置的存储器操作的存储器控制器，所述存储器控制器包括：纠错码(ECC)电路，被配置为：检测从存储器装置读取的第一读取数据的错误并纠正所述错误；错误类型检测逻辑，被配置为：将第一写入数据写入存储器装置，将第二读取数据与第一写入数据进行比较，基于比较的结果检测第二读取数据的错误位，并输出关于通过错误位而识别的错误类型的信息；以及数据图案化逻辑，被配置为：基于关于错误类型的信息改变输入数据的位图案，以减少第二读取数据的错误，其中，第一写入数据是第一读取数据的错误被纠正的数据，第二读取数据是读取写入存储器装置的第一写入数据而获得的数据。

根据本公开的另一方面，提供一种操作用于控制存储器装置的存储器控制器的方法，所述方法包括：从存储器装置读取第一读取数据；纠正第一读取数据中已经发生错误的第一存储器区域的位，并且将没有发生错误的第二存储器区域的位反相；识别第一存储器区域中的第一错误类型和第二存储器区域中的第二错误类型，第二错误类型与第一错误类型不同；并且基于第一错误类型和第二错误类型中的至少一个，将具有最小错误的第二写入数据写入存储器装置。

根据本公开的另一方面，提供一种存储器系统，包括：存储器装置，包括多个存储器区域，所述多个存储器区域中的每个包括至少一个存储器单元；以及存储器控制器，被配置为：控制存储器装置的存储器操作，其中，存储器控制器被配置为：从存储器装置读取存储在第一存储器区域和第二存储器区域中的第一读取数据，对第一读取数据中已经发生错误的第一存储器区域的数据执行纠正操作，对第一读取数据中没有发生错误的第二存储器区域的数据执行反相操作，基于纠正操作和反相操作生成第一写入数据，执行将第一写入数据与通过读取第一写入数据获得的第二写入数据进行比较的比较操作，并且基于比较操作识别多种错误类型。