[发明专利]一种以硅废料制备多晶硅颗粒的方法

权利要求书

1.一种以硅废料制备多晶硅颗粒的方法，其特征在于：包括如下步骤：

A．清洗所收集的硅废料；

B．将清洗后的硅废料于混料器中，搅拌至混合均匀，得混料；

C．将经步骤B处理后的混料置于造粒机中，在温度≤50℃及压力9.8～10.2吨条件下造粒，得物料颗粒；然后，干燥，控制含水率为＜0.01%，得干燥物料颗粒；

D．将经步骤C所得的干燥物料颗粒置于微波烧结炉中，在温度为400～1000℃和气体氛围的保护下烧结1～20min，得多晶硅颗粒初品；

F．将经步骤D所得多晶硅颗粒初品在温度小于100℃的保护氛围下，冷却至80℃以下，即得多晶硅颗粒成品，多晶硅颗粒成品纯度为99.9999%～99.99999%，粒径为300μm～30mm，施主杂质浓度≤4.80×10^-3ppba，受主杂质浓度≤1.32×10^-3ppba，碳浓度≤2.0×10¹⁷atoms/cm³，氢浓度≤30mg/kg，总金属杂质平均浓度≤600ng/g。

2.根据权利要求1所述的以硅废料制备多晶硅颗粒的方法，其特征在于：所述硅废料来源于还原炉硅粉、流化床硅粉、切割硅粉和破碎颗粒中的一种或任意两种以上的组合。

3.根据权利要求1所述的以硅废料制备多晶硅颗粒的方法，其特征在于：所述清洗包括第一清洗和第二清洗，第一清洗包括酸清洗、碱清洗、流水冲洗、超声波清洗及激光清洗的一种或任意两种以上的组合；第二清洗包括超纯水清洗、超声波清洗等的一种或两种组合。

4.根据权利要求1所述的以硅废料制备多晶硅颗粒的方法，其特征在于：所述造粒机为挤压式造粒机或揉搓式造粒机。

5.根据权利要求1或4中任意一项所述的以硅废料制备多晶硅颗粒的方法，其特征在于：在步骤C的干燥中，干燥为热风干燥、微波干燥或真空干燥。

6.根据权利要求1所述的以硅废料制备多晶硅颗粒的方法，其特征在于：在步骤D的微波烧结炉中，微波频率为2450±50MHz或915±50MHz。

7.根据权利要求1所述的以硅废料制备多晶硅颗粒的方法，其特征在于：在所述混料器、造粒机及微波烧结炉中，均设有材料为二氧化硅、氮化硅、碳化硅及硅中的一种或几种的内衬。