[发明专利]一种新型静态存储单元

说明书

本申请实施例提供了一种新型静态存储单元，该新型静态存储单元是通过第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管，第七晶体管和第八晶体管，这八个晶体管的电性连接得到的具有特定功能的新型静态存储单元。相较于原有的存储单元，通过增加的第一晶体管、第二晶体管和其他6个晶体管的结合得到的新型静态存储单元采用FDSOI工艺，在不增加面积的情况下可以抑制附体效应，而且具有低功耗和高性能的优势；此外，该新型静态存储单元不仅可以在抗单粒子效应能力上得到提高，还可以在存储数据的稳定性上得到增加。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种新型静态存储单元。

背景技术

一般，在计算机系统中，常常使用的随机存储内存可分为Dynamic Random AccessMemory(DRAM，动态随机存储内存)和Static RAM(SRAM，静态随机存储内存)两种，DRAM与SRAM的差异在于，DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，以维持数据的保存，而SRAM在计算机系统运行的过程中无需刷新电路也能保存内部存储的数据。因此，由于SRAM具有良好性能而被广泛应用。

现有技术中存在如图1所示的传统存储单元，图1是一种六管静态存储单元的电路示意图，图中包括第一晶体管T₁、第二晶体管T₂、第三晶体管T₃、第四晶体管T₄、第五晶体管T₅和第六晶体管T₆，其中，T₁和T₃构成一个反相器，T₂和T₄构成一个反相器，两个反相器连接构成一个锁存器，T₅和T₆作为选择通过管，用于实现数据的读写和存储。现有的六管静态存储单元虽然可以存储数据，但是其抗单粒子效应能力较弱，当应用于航空航天等特殊领域时，由于辐照引起的单粒子效应会引起存储数据的错误，进而会造成重大损失，因此进行抗单粒子加固势在必得。

发明内容

本发明提供一种新型静态存储单元，能够提高新型静态存储单元的抗单粒子效应能力，能够增强新型静态存储单元的稳定性。

本申请实施例提供一种新型静态存储单元,该新型静态存储单元包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管；

第一晶体管的第一端与第二晶体管的第一端连接，第一晶体管的第二端与第三晶体管的第一端连接，第一晶体管的第三端与第五晶体管的第一端连接；

第二晶体管的第二端与第四晶体管的第一端连接，第二晶体管的第三端与第六晶体管的第一端连接；

第三晶体管的第三端与第五晶体管的第二端连接，以及与第二晶体管的第三端连接；

第四晶体管的第三端与第六晶体管的第二端连接，以及与第一晶体管的第三端连接；

第七晶体管的第一端与第三晶体管的第三端连接；

第八晶体管的第一端与第四晶体管的第三端连接。

进一步地，该单元还包括：字线、第一位线和第二位线；

第一晶体管的第一端与字线连接，第二晶体管的第一端与字线连接，第七晶体管的第二端与字线连接，第八晶体管的第二端与字线连接；

第七晶体管的第三端与第一位线连接；

第八晶体管的第三端与第二位线连接。

进一步地，第三晶体管的第二端上拉接电源；第四晶体管的第二端上拉接电源。

进一步地，第五晶体管的第三端接地；第六晶体管的第三端接地。

进一步地，第一晶体管和第二晶体管均为N型场效应晶体管。