[发明专利]一种垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法

权利要求书

1.一种垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、采用原子层沉积法在碳纳米管表面沉积纳米量级的第一金属层，使第一金属层与碳纳米管形成欧姆接触；其中，第一金属层粒渗透入碳纳米管表面，对碳纳米管进行浸润和包覆；

S2、在碳纳米管顶部表面的第一金属层之上沉积微米量级的第二金属层，来填充各碳纳米管顶部之间的空隙，从而在各碳纳米管顶部表面的第一金属层之上形成连续的金属薄膜；

S3、在目标衬底表面沉积金属合金，并将金属合金与金属薄膜进行键合，从而将碳纳米管转移到目标衬底上。

2.根据权利要求1所述的垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法，其特征在于，所述第一金属层包括Ti、Cr、Fe、Ni中的任意一种。

3.根据权利要求1-2任意一项所述的垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为10nm～100nm。

4.根据权利要求1所述的垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法，其特征在于，采用气相沉积法在第一金属层的表面进行微米量级的第二金属层沉积。

5.根据权利要求1所述的垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法，其特征在于，所述第二金属层包括Ti、Au、Sn中的任意一种。

6.根据权利要求1或5所述的垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法，其特征在于，所述第二金属层的厚度为1μm～10μm。

7.一种高导电导热界面，其特征在于，采用权利要求1-6任意一项所述的垂直碳纳米管向目标衬底转移的方法制备所得。