[发明专利]具有用于量子计算设备的高品质界面的层间电介质的构造

权利要求书

1.一种用于构造设备的方法，包括：

提供第一晶片，所述第一晶片包括第一衬底、所述第一衬底上的第一绝缘体层、和所述第一绝缘体层上的第一电介质层；

提供第二晶片，所述第二晶片包括第二衬底、所述第二衬底上的第二绝缘体层、和所述第二绝缘体层上的第二电介质层；

在所述第一电介质层上形成第一超导体层；

在所述第二电介质层上形成第二超导体层；

在低于150℃的环境温度下，将所述第一超导体层的表面接合到所述第二超导体层的表面以形成晶片堆叠；

暴露所述第一电介质层的第一表面；以及

在所述第一电介质层的所暴露的第一表面上形成第三超导体层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一超导体层的表面接合到所述第二超导体层的表面是在低于100℃的环境温度下执行的。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一超导体层的表面接合到所述第二超导体层的表面是在18℃至30℃之间的环境温度下执行的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一超导体层的表面接合到所述第二超导体层的表面是在18℃至26℃之间的环境温度下执行的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法是在低于150℃的环境温度下执行的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法是在制造设施的环境温度下执行的，在所述制造设施中构造所述设备。

7.根据权利要求1所述的方法，包括：在将所述第一超导体层的表面接合到所述第二超导体层的表面以形成晶片堆叠之前，对所述第一超导体层的表面和所述第二超导体层的表面进行制备以便接合。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，对所述第一超导体层的表面和所述第二超导体层的表面进行制备包括：对所述第一超导体层的表面和所述第二超导体层的表面执行离子研磨。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，执行离子研磨是在低于150℃的环境温度下执行的。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，执行离子研磨是在18℃至30℃之间的环境温度下执行的。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述方法是在低于小丘和/或空洞充分地形成而足以增加以下各处的损耗角正切的温度下执行的：在所述第一超导体层与所述所述第一电介质层之间的界面；在所述第二超导体层与所述所述第二电介质层之间的界面；以及在所述第一超导体层与所述第二超导体层之间的界面。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一超导体层的表面接合到所述第二超导体层的表面包括：将所述第一超导体层的表面粘合到所述第二超导体层的表面。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一超导体层的表面接合到所述第二超导体层的表面是在10^-7托至10^-9托之间的范围内的真空下执行的。

14.根据权利要求1所述的方法，包括：通过执行所述第一衬底的干法蚀刻，从所述晶片堆叠去除所述第一衬底的一部分。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，执行所述干法蚀刻包括：将所述第一衬底暴露于SF₆或XeF₂等离子，并且其中，所述第一绝缘体层充当所述干法蚀刻的蚀刻停止部。

16.根据权利要求1所述的方法，包括：通过执行所述第一衬底的湿法蚀刻，从所述晶片堆叠去除所述第一衬底的一部分。