[发明专利]用内部生成的测试使能信号测试半导体器件的晶圆级方法

说明书

提供了一种测试集成电路(IC)器件的晶圆级方法和集成电路晶圆。所述方法包括：(i)向包含该IC器件的晶圆施加多个测试操作信号，(ii)响应于在晶圆上检测到所述多个测试操作信号中的至少一个的切换来生成测试使能信号，以及随后的(iii)响应于测试使能信号的生成来测试IC器件的至少一部分。所述生成的步骤还可以包括响应于在晶圆上检测到切换检测信号的非激活到激活的转变来生成测试使能信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年5月20日提交的韩国专利申请No.10-2019-0059130的权益，其公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思涉及集成电路器件，并且更具体地，涉及测试集成电路器件的晶圆级方法。

背景技术

通常，通过一系列离散工艺来制造形成在硅基板上的半导体器件，离散工艺包括但不限于膜的层压工艺、杂质的掺杂工艺、使这些膜图案化的光刻工艺、以及蚀刻工艺。通常执行测试以确定通过制造(FAB)工艺在晶圆上制造的半导体器件是否正确操作以满足特定设计。

在半导体器件的晶圆级测试期间，由于在通过一个或多个测试焊盘施加测试使能信号以执行测试时，该一个或多个测试焊盘与探针物理接触和电接触，因此具有探针阵列的测试器可能导致测试焊盘故障。测试焊盘故障可导致半导体器件在期望的正常操作模式期间停留在测试模式。

发明内容

本发明构思提供了一种半导体器件的晶圆级测试方法，该方法使用在半导体器件的晶片内部生成的内部测试使能信号而不用通过测试焊盘从测试器接收测试使能信号。

根据本发明构思的一方面，提供了一种在形成于晶圆的顶表面上的晶片中包括的半导体器件的晶圆级测试方法。在本发明构思的一些实施例中，该晶圆级测试方法包括：(i)在晶片上接收由外部测试器经由晶片的测试焊盘提供的测试操作信号，(ii)在晶片上检测测试操作信号中的任一者的切换，(iii)响应于检测到的切换，在晶片上生成内部测试使能信号，以及(iv)基于内部测试使能信号，在晶片上对半导体器件执行测试。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种堆叠式半导体芯片的晶圆级测试方法，在堆叠式半导体芯片中堆叠有包括被配置为独立操作的半导体器件的多个核晶片和被配置为提供(独立于每个核晶片的)通道接口的缓冲晶片。该晶圆级测试方法包括：(i)在缓冲晶片上设置模式寄存器设置(TMRS)位信号，该信号被分配为指示外部测试器不使用访问信号焊盘，(ii)在缓冲晶片上接收由外部测试器经由缓冲晶片的主测试焊盘提供的主测试操作信号，(iii)在缓冲晶片上检测主测试操作信号中的任一者的切换，(iv)(在接收到TMRS位信号之后)响应于检测到的切换在缓冲晶片上生成内部主测试使能信号，(v)在缓冲晶片上，将内部主测试使能信号经由核晶片的直通电极传输到从核晶片选择的通道的内部测试使能信号线，以及(vi)基于内部主测试使能信号在所选通道中对半导体器件执行测试。

根据本发明构思的另一方面，提供一种半导体器件，该半导体器件被包括在形成于晶圆的顶表面上的晶片中。该半导体器件包括：(i)被配置为对半导体器件执行测试的测试电路；以及(ii)连接到测试电路的测试焊盘。测试焊盘被配置为接收由外部测试器提供用于探针测试的测试操作信号。测试电路被配置为：检测测试操作信号中的任一者的切换；响应于检测到的切换生成内部测试使能信号；以及基于内部测试使能信号对半导体器件执行测试。