[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制造方法有效
申请号: | 202010320861.3 | 申请日: | 2020-04-22 |
公开(公告)号: | CN111477653B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 李海旭;袁广才 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/60 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张相钦 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制造 方法 | ||
本申请公开一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法。该显示面板包括TFT基板、位于TFT基板上的Micro‑LED以及至少包裹所述Micro‑LED的侧壁的反光层,该反光层使得所述Micro‑LED发出的光线从所述Micro‑LED的顶部导出。由于反光层至少包裹Micro‑LED的侧壁,Micro‑LED发出的光线会在反光层上发生反射,因此,其发出的光线尽可能从Micro‑LED的顶部射出,提升了出光效率,增强了显示效果,此外,该反光层可以通过BP设备制作,比如,在制作过程中,胶体曝光深度和涂胶均匀性容易控制,因此,这种反光层的制作难度低。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及显示面板、显示装置及显示面板的制造方法。
背景技术
micro-LED可以让高分辨率更容易实现,比如4K甚至8K分辨率智能手机或虚拟现实屏幕等,但是,Micro-LED为点光源,其发光具有点光源特征,在使用中,其大部分光无法被利用,因此,业界需要一种技术方案,该方案能够将Micro LED的大部分光导出而被利用。
发明内容
为克服相关技术中存在的部分或者所有问题,本申请提供一种显示面板。该显示面板包括TFT基板、位于TFT基板上的Micro-LED以及至少包裹所述Micro-LED的侧壁的反光层,该反光层使得所述Micro-LED发出的光线从所述Micro-LED的顶部导出。
可选地,所述反光层和所述Micro-LED相对于所述TFT基板的高度之差小于1微米。
可选地,所述反光层包括包裹所述Micro-LED的侧壁的第一反光层和位于相邻的所述Micro-LED之间的第二反光层。
可选地,所述TFT基板包括绝缘层,所述显示面板包括绝缘部件,该绝缘部件位于所述绝缘层上且至少接触所述Micro-LED底部的边缘。
可选地,在所述反光层包括第二反光层的情况下,所述第二反光层位于所述绝缘层上,所述绝缘部件位于该第二反光层的两端。
可选地,所述绝缘部件是形成于所述绝缘层上的平坦化层,在所述反光层包括第二反光层的情况下,该第二反光层位于所述平坦化层上。
可选地,所述显示面板包括位于所述第二反光层上的遮光层。
另一方面,本申请公开一种显示装置,该显示装置包括前述任何一种显示面板。
另一方面,本申请公开一种显示面板的制造方法,该制造方法包括如下步骤:
将Micro-LED置于TFT基板的上方;形成至少包裹所述Micro-LED的侧壁的反光层,该反光层使得所述Micro-LED的出光从所述Micro-LED的顶部导出。
可选地,形成所述反光层前,涂覆平坦化材料形成第二平坦化层,所述第二平坦化层的至少部分位于所述Micro-LED的下方。
本申请的实施方式提供的技术方案至少具有以下有益效果:
由于反光层至少包裹Micro-LED的侧壁,Micro-LED发出的光线会在反光层上发生反射,因此,其发出的光线尽可能从Micro-LED的顶部射出,提升了出光效率,增强了显示效果,特别是在该反光层配合Micro-LED本身的出光面可以使得Micro-LED的全部光线从Micro-LED的顶部射出,更加提升了出光效率以及增强了显示效果,此外,该反光层可以通过BP设备制作,在制作过程中,胶体曝光深度和涂胶均匀性容易控制,因此,这种反光层的制作难度低。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本申请。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本申请的实施方式,并与说明书一起用于解释本申请的原理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的