[发明专利]一种半导体的转移装置及转移方法有效

专利信息
申请号: 202010317744.1 申请日: 2020-04-21
公开(公告)号: CN113451190B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 魏其源;王英琪;刘政明;林建宏;龚立伟 申请(专利权)人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L21/683;H01L33/62
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 徐凯凯;王永文
地址: 402760 重庆市璧*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 转移 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体的转移装置,其特征在于,包括:转移基板,设置在所述转移基板上的控制器、设置在所述转移基板上且与所述控制器电连接的第一电磁部、设置在所述第一电磁部的表面且与所述控制器电连接的红外发射部以及活动设置在所述第一电磁部内且用于拾取半导体的第二磁部;其中,所述半导体携带有磁性;

所述转移基板用于移动至目标基板上方;

所述红外发射部用于发射红外信号对目标基板上的半导体进行定位;

所述控制器用于输出第一控制电流至所述第一电磁部,以使所述第一电磁部产生电磁力,以控制所述第二磁部调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置,其中,所述调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置包括水平方向的调节;

所述第一电磁部包括活动设置在所述转移基板上的多块第一电磁挡板,各个第一电磁挡板均与所述控制器电连接,且相邻的所述第一电磁挡板相互垂直,且各个第一电磁挡板至所述第二磁部的距离相等。

2.根据权利要求1所述的半导体的转移装置,其特征在于,所述控制器还用于输出第二控制电流至所述第二磁部,以使所述第二磁部拾取目标基板上的半导体或放置半导体至目标基板。

3.根据权利要求2所述的半导体的转移装置,其特征在于,所述第二磁部包括设置在所述转移基板上且与所述控制器电连接的驱动电磁挡板、与所述驱动电磁挡板磁力连接的吸附盘以及固定设置在所述吸附盘四周的第二磁挡板。

4.根据权利要求3所述的半导体的转移装置,其特征在于,所述第一电磁挡板与所述第二磁挡板数量一致,且单个所述第一电磁挡板与单个所述第二磁挡板对应平行设置。

5.根据权利要求3所述的半导体的转移装置,其特征在于,所述移动基板上设置有滑轨,所述第一电磁挡板和所述驱动电磁挡板设置有滑球,所述第一电磁挡板和所述驱动电磁挡板分别与所述移动基板滑动连接。

6.根据权利要求4所述的半导体的转移装置,其特征在于,所述第一电磁挡板和驱动电磁挡板为电磁体,所述第二磁挡板为永磁体或电磁体。

7.根据权利要求1所述的半导体的转移装置,其特征在于,所述红外发射部包括红外发射器,所述红外发射器与所述第一电磁部可拆卸连接。

8.根据权利要求3所述的半导体的转移装置,其特征在于,所述吸附盘为磁体、吸盘或机械手。

9.一种半导体的转移方法,其特征在于,包括:

控制转移基板移动至目标基板上方;

红外发射部发射红外信号对目标基板上的半导体进行定位;

控制器输出第一控制电流至第一电磁部,以使所述第一电磁部产生电磁力,以控制第二磁部调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置,其中,所述调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置包括水平方向的调节;

所述第一电磁部包括活动设置在所述转移基板上的多块第一电磁挡板,各个第一电磁挡板均与所述控制器电连接,且相邻的所述第一电磁挡板相互垂直,且各个第一电磁挡板至所述第二磁部的距离相等。

10.根据权利要求9所述的半导体的转移方法,其特征在于,所述控制器输出第一控制电流至第一电磁部,以使所述第一电磁部产生电磁力,以控制第二磁部调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置,其中,所述调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置包括水平方向的调节还包括:控制器输出第二控制电流至所述第二磁部,以使所述第二磁部拾取目标基板上的半导体或放置半导体至目标基板。

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