[发明专利]一种铝硅基薄壁壳体精铸材料及其制备方法和研究方法在审

专利信息
申请号: 202010317116.3 申请日: 2020-04-21
公开(公告)号: CN111636016A 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 马勇杰 申请(专利权)人: 北京联合大学
主分类号: C22C21/02 分类号: C22C21/02;C22C1/02;C22F1/043;B22D1/00;B22C9/02;G01N3/18
代理公司: 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 代理人: 陈常美
地址: 100101 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 铝硅基 薄壁 壳体 材料 及其 制备 方法 研究
【权利要求书】:

1.一种铝硅基薄壁壳体精铸材料,其特征在于:采用以下重量百分比的原料制成:Si6.0%-8.0%,Mg 0.02-0.5%,Fe 0.10%-0.15%,Ni 0.02%-0.15%,V 0.002%-0.008%,Al 余量补充。

2.根据权利要求1所述的铝硅基薄壁壳体精铸材料,其特征在于:采用以下重量百分比的原料制成:Si 6.5%-7.5%,Mg 0.03-0.45%,Fe 0.12%-0.14%,Ni 0.05%-0.1%,V0.005%,Al 余量补充。

3.根据权利要求1所述的铝硅基薄壁壳体精铸材料,其特征在于:采用以下重量百分比的原料制成:Si 6.0%,Mg 0.02%,Fe 0.10%,Ni 0.02%,V 0.002%,Al 余量补充。

4.根据权利要求1所述的铝硅基薄壁壳体精铸材料,其特征在于:采用以下重量百分比的原料制成:Si 6.5%,Mg 0.03%,Fe 0.12%,Ni 0.05%%,V 0.005%,Al 余量补充。

5.根据权利要求1所述的铝硅基薄壁壳体精铸材料,其特征在于:采用以下重量百分比的原料制成:Si 8.0%,Mg 0.5%,Fe0.15%,Ni 0.15%,V 0.008%,Al 余量补充。

6.一种如权利要求1-5中任一项所述的铝硅基薄壁壳体精铸材料的制备方法,其特征在于:材料浇注时温度为650℃-750℃;铸造前,在650℃-700℃对熔化金属液脱气20-40分钟,按T6热处理工艺对合金板进行热处理。

7.一种如权利要求1-5中任一项所述的铝硅基薄壁壳体精铸材料的研究方法,其特征在于:在不同温度情况下,分别经历多种应变率,每个压缩实验在等温恒应变速率下完成。

8.根据权利要求7所述的铝硅基薄壁壳体精铸材料的研究方法,其特征在于:所述温度包括30℃, 100℃, 200℃, 300℃, 400℃, 500℃,所述应变速率包括0.01s-1,0.1s-1,1s-1,5s-1,10s-1,20s-1

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