[发明专利]一种硅片截面试样的制备方法有效
| 申请号： | 202010316266.2 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111673932B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 林宗秀 | 申请（专利权）人： | 广州领拓仪器科技有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/02 | 分类号： | B28D5/02;B28D7/02;B24B7/22;B24B37/04;B24B29/00;B24B55/02;G01N1/28 |
| 代理公司： | 广州一锐专利代理有限公司 44369 | 代理人： | 杨昕昕;胡玉莲 |
| 地址： | 510000 广东省广州市番禺区东环街番禺*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 截面 试样 制备 方法 | ||
1.一种硅片截面试样的制备方法，其特征在于，包括：
S10.取硅片，进行切割，得到预处理硅片；所述切割为：选用金刚石刀片，所述刀片转速调整为600~1000rpm，所述刀片进刀速率调整为0.025~0.5mm/s，切割过程中加入冷却水，所述冷却水的流量为5~10ml/min，所述切割的时间为1~2min；
S20.采用金刚石磨片对预处理硅片进行研磨，得到研磨后的硅片，所述金刚石磨片的粒度为0.5~45μm；所述研磨的过程包括：
S201.采用45μm的金刚石磨片，磨片的转速调整为300rpm，磨片的进刀速率调整为0.35mm/s，磨片的步进精度调整为1μm，研磨过程中加入冷却水，冷却水的流量为6ml/min，研磨的应力不超过10N，研磨时间为30min；
S202.采用9μm的金刚石磨片，磨片的转速调整为300rpm，磨片的进刀速率调整为0.35mm/s，磨片的步进精度调整为1μm，研磨过程中加入冷却水，冷却水的流量为6ml/min，研磨的应力不超过10N，研磨时间为5min；
S203.采用2μm的金刚石磨片，磨片的转速调整为300rpm，磨片的进刀速率调整为0.35mm/s，磨片的步进精度调整为1μm，研磨过程中加入冷却水，冷却水的流量为6ml/min，研磨的应力不超过10N，研磨时间为5min；
S204.采用0.5μm的金刚石磨片，磨片的转速调整为300rpm，磨片的进刀速率调整为0.35mm/s，磨片的步进精度调整为0.5μm，研磨过程中加入冷却水，冷却水的流量为6ml/min，研磨的应力不超过10N，研磨时间为5min；
S30.采用抛光布和氧化物抛光液对研磨后的硅片进行抛光，得到硅片截面试样，所述抛光的过程中，抛光布的转速调整为300rpm，抛光布的进刀速率调整为0.5mm/s，抛光的过程中加入冷却水，冷却水的流量为2ml/min，抛光的应力不超过5N，抛光时间为2min。
2.根据权利要求1所述的一种硅片截面试样的制备方法，其特征在于，所述氧化物抛光液为氧化铝抛光液。
3.根据权利要求2所述的一种硅片截面试样的制备方法，其特征在于，所述氧化铝抛光液中氧化铝的粒度为0.01~0.1μm。
4.根据权利要求1所述的一种硅片截面试样的制备方法，其特征在于，所述抛光布为ChemoMet抛光布。
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