[发明专利]一种降低芍药组织培养中外植体污染的方法

说明书

一种降低芍药组织培养中外植体污染的方法，采集芍药幼嫩部位进行低温处理；低温处理后的芍药外植体使用洗洁精浸泡后流水冲洗；冲洗完毕后的芍药外植体，浸泡在多菌灵和青霉素钠混合溶液中并置于摇床；浸泡后的芍药外植体由75％酒精消毒，再以0.1％升汞消毒进行表面消毒；消毒后的芍药外植体在含有益培灵的培养基中培养；本发明能有效降低芍药组织培养中的污染，且芍药外植体存活率较高，实用性、推广性强。

技术领域

本发明涉及到组织培养技术领域，具体为一种降低芍药组织培养中外植体污染的方法。

背景技术

芍药(Paeonia lactiflor Pall.)为芍药科芍药属，多年生草本植物，是我国著名的观赏、药用植物。但芍药的传统繁殖方式生产周期长繁殖系数低，严重影响了芍药的规模化生产。组织培养技术是目前植物快繁的有效方法之一，具有繁殖周期短，繁殖系数高等优势。但芍药自身携带内生菌，用常规的消毒方法难以控制其内生菌污染，培养初期出现大量细菌和真菌污染，严重制约了芍药组织培养的发展。因此，研究一种降低芍药组织培养中外植体污染的方法成为目前迫切需要解决的技术难题。

发明内容

为解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种降低芍药组织培养中外植体污染的方法。

为达到上述目的，本发明提供了一种降低芍药组织培养中外植体污染的方法，包括以下步骤：

(1)采集芍药幼嫩部位进行低温处理；

(2)低温处理后的芍药外植体使用洗洁精浸泡后流水冲洗；

(3)冲洗完毕后的芍药外植体，浸泡在多菌灵和青霉素钠混合溶液中并置于摇床；

(4)浸泡后的芍药外植体由75％酒精消毒，再以0.1％升汞消毒进行表面消毒；

(5)消毒后的芍药外植体在含有益培灵的培养基中培养。

优选的，所述步骤1低温处理为将新采集的芍药外植体用锡箔纸包裹置于4℃冰箱中，低温处理24-48h。

优选的，所述步骤2芍药外植体由稀释洗洁精浸泡20min，清洗外表的泥沙后流水冲洗芍药外植体1h。

优选的，所述步骤3将芍药外植体浸泡在浓度为3-5g/L的多菌灵和浓度为0.5-1.5g/L青霉素钠混合溶液的培养瓶中，置于摇床，振荡速度为160 1/min，振荡时间为1h，然后用无菌蒸馏水清洗三次。将培养瓶外部喷洒75％酒精，放入超净工作台中，大风吹20min。

优选的，所述步骤4在超净工作台上，用75％酒精消毒10s，无菌蒸馏水清洗3次，0.1％升汞消毒7-8min，无菌蒸馏水清洗8-10次。

优选的，所述步骤5将芍药外植体切为适宜大小，接入到含有益培灵的培养基中，22-25℃下黑暗培养一周。

优选的，所述培养基为：MS+蔗糖30g/L+TDZ 2.5mg/L+琼脂粉7.5g/L+益培灵0.1-0.2g/L，培养基pH值调至5.8-6.0，将配制好的培养基装入培养瓶中，121℃高温灭菌25min。

相对于现有技术，本发明的有益效果为：

1、本发明从加强芍药外植体的表面消毒和培养过程中抑制内生菌污染两个方面入手，有效降低芍药组织培养过程中的外植体的污染；

2、在前期经多菌灵处理后的芍药外植体培养过程中几乎不出现真菌污染；青霉素钠处理后，能够抑制一部分芍药内生菌；

3、多菌灵和青霉素钠混合溶液处理时置于摇床，可以加强混合溶液的杀菌效果；

4、在组织培养过程中内生菌是持续出现的，培养基中添加益培灵能够有效地减少芍药组织培养过程中的内生菌污染；且经过这一系列的消毒处理后，外植体存活率较高。