[发明专利]低电磁干扰高可靠射流点火电源

权利要求书

1.低电磁干扰高可靠射流点火电源，其特征在于：包括滤波整流模块、高频逆变及其控制模块、稳弧模块、高压引弧模块、使能控制模块；所述滤波整流模块、高频逆变及其控制模块、稳弧模块依次连接；所述使能控制模块与高频逆变及其控制模块连接；所述滤波整流模块外接交流电源；所述使能控制模块外接低压直流电源；所述稳弧模块外接高压电缆；所述高压引弧模块包括单脉冲高压引弧主电路和输出电流控制电路；所述单脉冲高压引弧主电路连接稳弧模块；所述输出电流控制电路输入端连接稳弧模块，输出端连接高频逆变及其控制模块；

所述高频逆变及其控制模块包括高频逆变电路和PWM控制驱动电路；所述高频逆变电路的输入端连接所述滤波整流模块，输出端连接所述稳弧模块；所述PWM控制驱动电路的输入端连接所述使能控制模块、稳弧模块和输出电流控制电路，所述PWM控制驱动电路的输出端连接所述高频逆变电路；

所述高频逆变电路为半桥逆变拓扑电路，具体包括滤波均压电容C8、滤波均压电容C9、关断电压尖峰吸收电容C10、关断电压尖峰吸收电容C11、隔直电容C12、谐波吸收电容C13、半导体高频开关MOS管Q1、半导体高频开关MOS管Q2、逆变变压器B1、吸收电阻R2；其中，滤波均压电容C8、滤波均压电容C9串联后并联在整流桥D1的两个输出端；关断电压尖峰吸收电容C10、关断电压尖峰吸收电容C11串联后并联在整流桥D1的两个输出端；半导体高频开关MOS管Q1的源极S和半导体高频开关MOS管Q2的漏极D连接，半导体高频开关MOS管Q1的漏极D和半导体高频开关MOS管Q2的源极S分别连接整流桥D1的两个输出端，半导体高频开关MOS管Q1和半导体高频开关MOS管Q2的栅极G分别连接PWM控制驱动电路；谐波吸收电容C13和吸收电阻R2串联形成谐波吸收回路，谐波吸收回路并联在逆变变压器B1的初级绕组的两端；逆变变压器B1的初级绕组一端连接滤波均压电容C8与滤波均压电容C9的串联节点，另一端与隔直电容C12、关断电压尖峰吸收电容C10和关断电压尖峰吸收电容C11的串联节点依次连接；逆变变压器B1的次级绕组连接稳弧模块。

2.根据权利要求1所述的低电磁干扰高可靠射流点火电源，其特征在于：所述输出电流控制电路包括四路电压比较器芯片U2及其外围电路；所述外围电路连接在所述四路电压比较器芯片U2的各个引脚上；所述四路电压比较器芯片U2包括第一电压比较器、第二电压比较器、第三电压比较器和第四电压比较器；所述第四电压比较器的引脚悬空；所述第三电压比较器的外围电路连接所述PWM控制驱动电路和所述稳弧模块；所述第一电压比较器和所述第二电压比较器及其引脚连接的外围电路组成引弧控制电路；所述第一电压比较器及其引脚连接的外围电路组成低频振荡器；所述低频振荡器包括：第一电压比较器、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、电阻R32、电阻R36、电容C26；脚2和脚4之间连接电阻R22；脚2和脚5之间连接电阻R23；脚2连接电阻R21，电阻R21的另一端连接所述单脉冲高压引弧主电路；脚2连接电阻R36后接电源V_cc2；脚4连接电容C26后接地；脚5连接电阻R24后接地；脚5连接电阻R32后接电源V_cc2。

3.根据权利要求2所述的低电磁干扰高可靠射流点火电源，其特征在于：所述单脉冲高压引弧主电路包括引弧驱动三极管Q3、控制固态继电器SSR、限流电阻R33、储能电容C38、充电电阻R28和升压变压器B3；所述引弧驱动三极管Q3的集电极经所述限流电阻R33外接电源V_cc2，所述引弧驱动三极管Q3的发射极接所述控制固态继电器SSR的1端；所述控制固态继电器SSR的2端和4端接地，所述控制固态继电器SSR的3端接所述升压变压器B3初级绕组的1端；所述充电电阻R28一端接稳弧模块中共模滤波电感L5的第一绕组的输入端，另一端连接所述升压变压器B3初级绕组1端；所述储能电容C38一端接地，另一端连接所述升压变压器B3初级绕组2端；所述升压变压器B3次级绕组串连稳弧模块。