[发明专利]图像显示元件有效
申请号: | 202010313319.5 | 申请日: | 2020-04-20 |
公开(公告)号: | CN111863854B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 井口胜次 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/46;H01L33/50;G09G3/32 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 郝家欢 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 显示 元件 | ||
本发明减少微型发光元件的串扰,提高发光效率。图像显示元件(200)由以氮化物半导体(14)的侧面相对于光发出方向张开的方式倾斜的反射材料(20)覆盖,波长转换部(32、33)由隔壁(34)包围侧方,隔壁(34)的面向波长转换部(32、33)的侧面成为以相对于光发出方向张开的方式倾斜的反射面。
技术领域
本发明涉及微型发光元件以及包含它的图像显示元件。
背景技术
提出在驱动电路基板(driving circuit substrate)上配置有多个构成像素的微型发光元件的显示元件。例如,在专利文献1公开的技术中,在硅基板上形成有驱动电路,在驱动电路上配置有发出紫外光的微小的发光二极管(LED)阵列。另外,在上述技术中,公开:通过在发光二极管阵列上设置有将紫外光向红色、绿色以及蓝色的可见光转换的波长转换层(wave length conversion layer)从而显示彩色图像的小型的显示元件。
这样的显示元件小型并且具有亮度高、耐久性也高这样的特性。因此,可期待作为眼镜型终端(glasses-like devices)、平视显示器(HUD:Head-Up Display)等显示装置用的显示元件。
作为这样的显示元件的制造方法,由于驱动电路基板的材料和微型发光元件的材料不同,所以通常为在分别形成两者后使它们贴合的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本公开专利公报“日本特开2002-141492号公报(2002年5月17日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而,在上述的专利文献1公开的微型发光元件以及显示元件的构造中,发光层所产生的光的多数(数十%)从微型发光元件的侧面朝向邻接的微型发光元件发出。这样的光被邻接的微型发光元件吸收,再次从该微型发光元件发出。由此,产生以下问题,即,邻接的微型发光元件产生光串扰,并且由微型发光元件产生的光中的向外部发出的光的比例变低,发光效率(light emission efficiency)变低。相同的问题也在波长转换层中产生。
本发明的一方式是鉴于上述问题点而完成的,其目的在于提供防止邻接的微型发光元件间以及波长转换层间的光串扰且提高微型发光元件以及波长转换层的发光效率的图像显示元件。
解决问题的方案
(1)为了解决上述课题,本发明的一方式所涉及的图像显示元件具备:驱动电路基板,其包括对微型发光元件供给电流并使该微型发光元件发光的驱动电路;上述微型发光元件,其以阵列状排列在上述驱动电路基板上;以及波长转换部,其配置在上述微型发光元件上,并将上述微型发光元件发出的激发光转换为波长更长的长波长光并向与上述驱动电路基板相反侧发出,上述微型发光元件具备:从发光面侧依次层叠第一导电层、发光层以及与上述第一导电层相反导电型的第二导电层而成的半导体,上述半导体的侧面以相对于光发出方向张开的方式倾斜并且由反射材料覆盖,上述波长转换部由隔壁包围侧方,上述隔壁的面向上述波长转换部的侧面成为以相对于光发出方向张开的方式倾斜的反射面。
(2)另外,本发明的某个实施方式是图像显示元件,其在上述(1)的结构的基础上,由上述反射面围起而成的底部开口部在比上述反射材料的发光面侧的上端部相对于上述微型发光元件靠内侧的位置配置。
(3)另外,本发明的某个实施方式是图像显示元件,其在上述(1)的结构的基础上,在上述半导体的侧面与上述反射材料之间配置有透明绝缘膜。
(4)另外,本发明的某个实施方式是图像显示元件,其在上述(3)的结构的基础上,由上述反射面围起而成的底部开口部覆盖上述半导体的发光面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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