[发明专利]一种无背面银电极HIT电池及其制造方法

权利要求书

1.一种无背面银电极HIT电池，其特征在于，包括硅片，硅片的正反面均镀有非晶硅层，正面非晶硅层表面镀有一层磷掺杂的N层，在背面非晶硅表面镀有一层硼掺杂的P层，在正面N层及背面P层表面均镀有一层透明导电层，在正面透明导电层表面印刷有银电极，在背面透明导电层表面镀有一层导电性好的金属导电膜层，在背面的金属导电膜层表面焊接有铜焊丝形成背面电极。

2.根据权利要求1所述的一种无背面银电极HIT电池，其特征在于，所述N层为磷掺杂的非晶硅、微晶硅或氧化微晶硅；所述P层为硼掺杂的非晶硅、微晶硅或氧化微晶硅。

3.根据权利要求1或2所述的一种无背面银电极HIT电池，其特征在于，所述非晶硅层的厚度为3~8nm；所述N层的厚度为3~8nm；所述P层的厚度为3~8nm；所述透明导电层的厚度是0~200nm；所述金属导电膜层的厚度为1000~20000nm。

4.根据权利要求1或2所述的一种无背面银电极HIT电池，其特征在于，在所述金属导电膜层的表面还镀有一层金属保护膜层以防止所述金属导电膜层腐蚀，其厚度为100~2000nm；所述铜焊丝焊接在所述金属保护膜层的表面形成背面电极。

5.根据权利要求1或2所述的一种无背面银电极HIT电池，其特征在于，在背面所述透明导电层的表面镀有一层金属过渡膜层，其厚度为0~1000nm；所述金属导电膜层镀在所述金属过渡膜层的表面，所述铜焊丝焊接在所述金属导电膜层的表面形成背面电极。

6.根据权利要求5所述的一种无背面银电极HIT电池，其特征在于，在所述金属导电膜层的表面还镀有一层金属保护膜层以防止所述金属导电膜层腐蚀，其厚度为100~2000nm；所述铜焊丝焊接在所述金属保护膜层的表面形成背面电极。

7.一种无背面银电极HIT电池的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）在N型硅片表面清洗、制绒形成洁净的低反射率绒面；

2）在制绒后的硅片的正反面各镀一层非晶硅层；

3）在正面的非晶硅层表面镀一层磷掺杂的非晶硅或微晶硅形成N层；

4）在背面的非晶硅层表面镀一层硼掺杂的非晶硅或微晶硅形成P层；

5）在正面N层表面及背面P层表面各镀一层透明导电层；

6）通过丝网印刷将低温银浆印刷在正面透明导电层的表面形成导电的银电极；

7）采用PVD或热蒸镀法在背面透明导电层的表面镀一层金属过渡膜层，为了避免金属过渡膜层跟正面银电极导通，镀膜时，硅片边缘进行遮盖而不镀膜，边缘遮盖宽度为0.1~1mm；

8）采用PVD或热蒸镀法在金属过渡膜层的表面镀一层导电性好的金属导电膜层，为了避免金属导电膜层跟正面银电极导通，镀膜时，硅片边缘进行遮盖而不镀膜，边缘遮盖宽度为0.1~1mm；

9）采用PVD或热蒸镀法在金属导电膜层的表面镀一层金属保护膜层以防止所述金属导电膜层腐蚀，为了避免金属保护膜层跟正面银电极导通，镀膜时，硅片边缘进行遮盖而不镀膜，边缘遮盖宽度为0.1~1mm；

10）在金属保护膜层的表面焊接铜焊丝作为背面电极，且铜焊丝贴合到金属保护膜层表面从硅片的一端焊接到另一端。

8.根据权利要求7所述的一种无背面银电极HIT电池的制造方法，其特征在于，铜焊丝为圆形、扁形、梯型中的任一种，其数量为5~30根。

9.一种基于权利要求7的HIT电池组件的制造方法，其特征在于，将无背面银电极HIT电池的背面铜焊丝和相邻电池正面的银电极串接以形成电池组件。

10.一种太阳能发电板，其特征在于，将权利要求9制备的电池组件集成在玻璃材料里制备而成。