[发明专利]多种元胞设计的复合PiN肖特基二极管

权利要求书

1.一种多种元胞设计的复合PiN肖特基二极管，其特征在于，包括：PN结，形成所述PN结的第一导电区域和第二导电区域，所述第二导电区域位于所述第一导 电区域的表面，所述第一导电区域包括外延层，所述第二导电区域排布有多个元胞；其中，

所述多个元胞中的第一元胞包括第一区域和第二区域，所述第一区域环绕所述第二区域设置，所述第一区域呈环形或环正多边形，所述第二区域呈圆形或正多边形，且所述第一区域的中心与所述第二区域的中心相同；

所述多个元胞中的第二元胞包括第三区域，所述第三区域呈圆形或正多边形；

所述第一区域与所述外延层间形成第一PN结，所述第二区域与所述外延层间形成第二PN结，所述第三区域与所述外延层间形成第三PN结；

所述第三PN结的宽度大于所述第一PN结和所述第二PN结的宽度，从而使所述第三PN结在浪涌电流的条件下比所述第一PN结和所述第二PN结先开启。

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第二PN结的宽度大于所述第一PN结的宽度，以使所述第二PN结在浪涌电流的条件下比所述第一PN结先开启。

3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，相邻的所述第一区域与所述第三区域相连接。

4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，多个所述第一元胞环绕设置在所述第二元胞的周围。

5.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，距离最近的两个所述第二元胞之间设置有n个所述第一元胞，n为1-1000000。

6.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的深度相同，所述深度是所述外延层表面进行离子注入后形成所述第二导电区域的深度。

7.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，还包括：衬底，其中，

所述衬底位于所述外延层背离所述第二导电区域一侧的表面；

所述衬底的掺杂浓度高于所述外延层的掺杂浓度。

8.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，还包括：肖特基接触金属，其中，

所述肖特基接触金属覆盖于所述外延层的表面，且所述肖特基接触金属与所述外延层间形成肖特基接触。

9.根据权利要求8所述的二极管，其特征在于，还包括：欧姆接触金属，其中，所述欧姆接触金属与所述第二导电区域间形成第一欧姆接触。

10.根据权利要求7所述的二极管，其特征在于，还包括：阴极电极，其中，

所述阴极电极设置于所述衬底背离所述外延层的一侧，且所述衬底与所述阴极电极间形成第二欧姆接触。