[发明专利]基于热电堆的流量感测设备有效

申请号：	202010311039.0	申请日：	2020-04-20
公开（公告）号：	CN111829603B	公开（公告）日：	2023-06-13
发明（设计）人：	罗伯特·西嘉石;斯科特·爱德华·贝克;王勇发;伊恩·本特利;比尔·胡佛	申请（专利权）人：	霍尼韦尔国际公司
主分类号：	G01F1/688	分类号：	G01F1/688
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司 72001	代理人：	刘桢;王丽辉
地址：	美国新***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	基于热电流量设备
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【权利要求书】：

1.一种用于感测流体(201)流量的装置，所述装置包括：

流量感测设备(200)，所述流量感测设备包括：

加热结构(202)，所述加热结构具有中心线(204)；和

热电堆(206)，其中所述热电堆(206)的至少一部分设置在所述加热结构(202)上，并且其中所述热电堆(206)包括

第一热电偶，所述第一热电偶具有设置在所述中心线(204)上游的第一热电偶结(208)，和

第二热电偶，所述第二热电偶具有设置在所述中心线(204)下游的第二热电偶结(210)，特征在于：

最大温差由最大温差等值线上在所述中心线(204)上游最远的最大温差位置和所述最大温差等值线上在所述中心线(204)下游最远的最大温差位置限定，所述最大温差等值线延伸通过发生最大温差的位置附近，其中所述第一热电偶结(208)设置在所述中心线(204)上游最远的最大温差位置附近，并且其中所述第二热电偶结(210)设置在所述中心线(204)下游最远的最大温差位置附近。

2.根据权利要求1所述的装置，进一步包括限定微桥结构的基板，其中所述加热结构(202)的一部分设置在所述微桥结构上。

3.根据权利要求1所述的装置，进一步包括限定膜结构的基板，其中所述加热结构(202)的一部分设置在所述膜结构上。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一热电偶结(208)设置在所述加热结构(202)上。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二热电偶结(210)设置在所述加热结构(202)上。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一热电偶结(208)不设置在所述加热结构(202)上，并且其中所述第二热电偶结(210)不设置在所述加热结构(202)上。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一热电偶结(208)包括在第一热电偶材料和第二热电偶材料之间的界面。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第一热电偶材料包括多晶硅，且其中所述第二热电偶材料包括铝。

9.根据权利要求7所述的装置，其中所述第一热电偶材料包括n型多晶硅，且其中所述第二热电偶材料包括p型多晶硅。

10.根据权利要求7所述的装置，其中所述第一热电偶材料包括p型多晶硅，且其中所述第二热电偶材料包括n型多晶硅。

11.根据权利要求7所述的装置，其中所述第一热电偶材料包括以下中的至少一者：镍-铁合金、氮化铬和铜。

12.根据权利要求7所述的装置，其中所述第二热电偶材料包括以下中的至少一者：铬、二硅化铬、二硅化铼、铜、铝、p型多晶硅和铜-镍合金。

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