[发明专利]一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路

权利要求书

1.一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，用于测试MOSFET晶圆的Rdson（导通电阻）测试参数，其测试方法包括以下步骤：

S101：通过电阻将MOSFET晶圆的漏极加载端和漏极测量端连接；

S102：通过测试VTH小电流参数判断N个被测MOSFET颗粒的基本功能正常；

S103：测试Rdson（导通电阻），选择功能正常且距离被测颗粒最近的颗粒作为辅助颗粒；

S104：将辅助颗粒的栅极驱动为常通状态；

S105：将共漏极的测量端连接至辅助颗粒的源极，然后进行参数Rdson（导通电阻）测试。

2.根据权利要求1所述的MOSFET晶圆临近颗粒测试方法，其特征在于，所述N个被测颗粒其数量与测试工位的电路臂数量保持一致，其N值越大测试误判率越低。

3.根据权利要求1所述的MOSFET晶圆临近颗粒测试方法，其特征在于，所述栅极驱动电压保持在±5V以内，便可保持常通状态。

4.根据权利要求1所述的MOSFET晶圆临近颗粒测试方法，其特征在于，所述被测颗粒最近的颗粒进行小电流参数测试为不正常颗粒，因此选择次近的颗粒作为辅助颗粒。

5.根据权利要求2所述的MOSFET晶圆临近颗粒测试方法，其特征在于，所述临近颗粒测试方法测量被测MOSFET晶圆良品率90%，四工位时误判率为0.1%，八工位时误判率为0.00001%。