[发明专利]一种射频压控有源电感

权利要求书

1.一种射频压控有源电感，其特征在于，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，第四跨导单元(4)，有源反馈电阻单元(5)，第一偏置电路(6)，第二偏置电路(7)；

第一跨导单元(1)包括第二P型MOS晶体管(M₂)，第二跨导单元(2)包括第三N型MOS晶体管(M₃)、第四N型MOS晶体管(M₄)、第一调制端(V_tune1)和第二调制端(V_tune2)，第三跨导单元(3)包括第七P型MOS晶体管(M₇)、第八N型MOS晶体管(M₈)和第三调制端(V_tune3)，第四跨导单元(4)包括第九N型MOS晶体管(M₉)，有源反馈电阻单元(5)包括无源电阻(R_tf)、第十一P型MOS管(M₁₁)和第四调制端(V_tune4)，第一偏置电路 (6)包括第一P型MOS晶体管(M₁)、第六P型MOS晶体管(M₆)和第一偏置端(V_bias1)，第二偏置电路 (7)包括第五N型MOS晶体管(M₅)、第十N型MOS晶体管(M₁₀)和第二偏置端(V_bias2)；

有源电感的输入端(Z_in)同时连接第二P型MOS晶体管(M₂)的漏极、第四N型MOS晶体管(M₄)的源极、第五N型MOS晶体管(M₅)的漏极、第八N型晶体管(M₈)的源极和第九N型MOS晶体管(M₉)的漏极；第一P型MOS晶体管(M₁)的源极与电源(V_DD)连接，第一P型MOS晶体管(M₁)的栅极连接第六P型MOS晶体管(M₆)的栅极并同时与第一偏置端(V_bias1)相连，第一P型MOS晶体管(M₁)的漏极同时与第二P型MOS晶体管(M₂)的栅极、第三N型MOS晶体管(M₃)的漏极相连；第二P型MOS晶体管(M₂)的源极与电源(V_DD)连接；第三N型MOS晶体管(M₃)的源极与第四N型MOS晶体管(M₄)的漏极相连，第三N型MOS晶体管(M₃)的栅极与第一调制端(V_tune1)相连；第四N型MOS晶体管(M₄)的栅极与第二调制端(V_tune2)相连；第五N型MOS晶体管(M₅)的源极与地(GND)相连，第五N型MOS晶体管(M₅)的栅极连接第十N型MOS晶体管(M₁₀)的栅极同时与第二偏置端(V_bias2)相连；第六P型MOS晶体管(M₆)的源极与电源(V_DD)连接；第七P型MOS晶体管(M₇)的源极与电源(V_DD)连接，第七P型MOS晶体管(M₇)的栅极同时与第八N型MOS晶体管(M₈)的漏极和第六P型MOS晶体管(M₆)的漏极相连，第七P型MOS晶体管(M₇)的漏极同时与第十一P型MOS晶体管(M₁₁)的源极以及无源电阻(R_tf)的第一端连接；第八N型MOS晶体管(M₈)的栅极与第三调制端(V_tune3)相连；第九N型MOS晶体管(M₉)的栅极同时与第十N型MOS晶体管(M₁₀)的漏极、第十一P型MOS晶体管(M₁₁)的漏极以及无源电阻(R_tf)的第二端连接，第九N型MOS晶体管(M₉)的源极连接地(GND)；第十N型MOS晶体管(M₁₀)的源极与地(GND)相连；第十一P型MOS晶体管(M₁₁)的栅极与第四调制端(V_tune4)相连。