[发明专利]二极管制备方法及二极管在审

专利信息
申请号: 202010308038.0 申请日: 2020-04-17
公开(公告)号: CN111489957A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 李兵;葛宜威 申请(专利权)人: 山东星合明辉电子有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 孟雪
地址: 261500 山东省潍*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 二极管 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种二极管制备方法及二极管,它属于二极管技术领域,包括以下步骤:在原料的表面涂敷保护层;去除部分保护层,使剩余的保护层在原料的表面形成图形;腐蚀未覆盖保护层的原料的表面,形成若干独立的芯片晶粒;清除芯片晶粒的表面的保护层;在芯片晶粒的表面焊接电极;使用去离子水清洗芯片晶粒,对芯片晶粒的侧面的腐蚀区域上胶,经钝化、固化后,形成成品;本发明中对的原料的浸泡腐蚀在焊接电极工序之前,在焊接电极工序中引入的焊锡、铜电极或镀银电极等重金属材料,在后续的清洗过程中,不会从原子状态,变为游离状态,从而不会在生产过程中出现重金属离子污染,充分的保护了PN结,保证了二极管产品的电参数性能的稳定性。

技术领域

本发明涉及二极管技术领域,具体涉及一种二极管制备方法及二极管。

背景技术

如图1所示,传统的二极管的生产制备流程主要包括以下步骤:一、将原料(镀镍片)划片(通常使用砂轮划片机按照二极管芯片的尺寸划成方形或者正六边形);二、清洗后,在划好的二极管芯片的表面焊接电极;三、将原料放入到混合酸内,混合酸将原料沿二极管芯片的侧面腐蚀去除切割损伤层,暴露出PN结;四、清洗二极管芯片(依次为酸洗和去离子水清洗);五、在二极管芯片的腐蚀面上上胶,经钝化、固化后即可得到成品。经长期的生产后发现,该生产制备流程存在以下问题:一、原料利用率低,如图3所示,当划片的形状(即二极管芯片的形状)为正六边形2时,相邻的正六边形2之间的三角形3区域无法利用,会浪费接近30%的物料;二、划片方向只能为直线,划出的二极管芯片的形状只能为多边形,存在一定的局限性;三、在二极管芯片的表面焊接电极时使用的焊接锡膏中含有铅、锡、银等重金属材料,在后续的混合酸腐蚀工序中,会与混合酸反应产生难以清洗去除的重金属离子,影响二极管产品的电参数特性及稳定性,对电性良率影响很大,存在潜在的质量风险。

发明内容

对于现有技术中所存在的问题,本发明提供的一种二极管制备方法及二极管,有效的提高原料的利用率,可以制作任何形状的二极管芯片,并且避免了重金属离子污染,充分的保护了PN结,保证了二极管产品的电参数性能的稳定性。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:

一方面,本发明提供了一种二极管制备方法,包括以下步骤:

S1:在原料的表面涂敷保护层;

S2:去除部分所述保护层,使剩余的所述保护层在所述原料的表面形成若干独立的与芯片的表面相同的图形;

S3:腐蚀未覆盖所述保护层的所述原料的表面,形成若干独立的芯片晶粒;

S4:清除所述芯片晶粒的表面的所述保护层;

S5:在所述芯片晶粒的表面焊接电极;

S6:使用去离子水清洗所述芯片晶粒,对所述芯片晶粒的侧面的腐蚀区域进行上胶,经钝化、固化后,形成成品。

作为一种优选的技术方案,在步骤S1中,所述原料设为具有PN结结构的扩散片,所述扩散片的表面上设有镀镍层或镀金层。

作为一种优选的技术方案,在步骤S1中,所述保护层设为油墨;在步骤S2中,使用丝网印刷的方法去除部分所述保护层;在步骤S3中,使用将所述原料在混合酸溶液中浸泡的方式腐蚀未覆盖所述保护层的所述原料的表面。

作为一种优选的技术方案,所述混合酸溶液设为氢氟酸、硝酸、冰乙酸、硫酸按9:9:12:4的比例配置而成。

作为一种优选的技术方案,在步骤S4和步骤S5之间还包括以下步骤:使用有机溶剂对所述芯片晶粒、进行超声清洗。

作为一种优选的技术方案,在步骤S5和步骤S6之间还包括以下步骤:使用碱性溶液清洗所述芯片晶粒并对所述芯片晶粒的侧面的腐蚀区域作绒面处理。

作为一种优选的技术方案,所述碱性溶液设为KOH或NaOH溶液。

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