[发明专利]一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法有效
申请号: | 202010306227.4 | 申请日: | 2020-04-17 |
公开(公告)号: | CN113534612B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 郭慧稳;丁顺德;牛立业;万建;王梦娜 | 申请(专利权)人: | 中铝洛阳铜加工有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F7/16;G01B11/30 |
代理公司: | 洛阳高智达知识产权代理事务所(普通合伙) 41169 | 代理人: | 李世平 |
地址: | 471000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 蚀刻 高精度 引线 框架 材料 平整 快速 方法 | ||
一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法,工艺流程为:取样‑一次涂感光胶‑一次烘干‑一次制版‑一次曝光‑一次显影‑边部蚀刻‑去感光胶‑二次涂感光胶‑二次烘干‑二次制版‑二次曝光‑二次显影‑半蚀刻或全蚀刻‑平整度测量‑平整度评价;本发明解决了铜带出厂前预判高精度引线框架材料铜带蚀刻后平整度的难题,操作过程中喷涂、烘干、制版、蚀刻等步骤主要以机器来实现,降低了操作过程人为因素造成的影响,提高了蚀刻控制的准确性,蚀刻的效率有了很大改善,带材蚀刻后平整度的预判也更加准确,适用于大批量生产中快速预判高精度引线框架材料铜带蚀刻后平整度的方法。
技术领域
本发明属于有色金属冶炼以及加工领域,尤其涉及一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法。
背景技术
高精度引线框架材料铜带是用于框架材料、手机集成电路芯片载体的关键材料,由于电子信息技术的迅猛发展,关键电子元器件微型化、集成化的技术得到广泛采用,而后续加工也由冲压式逐步向更加精细的蚀刻方式转变,后续加工方式的改变对高精度引线框架材料铜带的质量也提出了更高的要求,其中材料蚀刻后的平整度是高精度引线框架材料铜带质量的关键评价指标之一。如果蚀刻后出现翘曲、扭曲等不对称尺寸变化,造成在电子元器件上无法使用而导致铜带材料报废。目前,蚀刻用高精度引线框架材料平整度的预判通常采用铜及铜合金带材直接分条后观察或测量平整度,但这种方法无法对蚀刻后的带材平整度进行预判。如何用一种快捷、直观的方法来测试高精度引线框架材料铜带蚀刻后平整度,预判材料能否满足下游用户的适用性,并应用于工业化生产,是迫切需要解决的一项行业技术难题。
鉴于上述原因,现研发出一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法,解决了铜带出厂前预判高精度引线框架材料铜带蚀刻后平整度的难题,操作过程中喷涂、烘干、制版、蚀刻等步骤主要以机器来实现,降低了操作过程人为因素造成的影响,提高了蚀刻控制的准确性,蚀刻的效率有了很大改善,带材蚀刻后平整度的预判也更加准确,适用于大批量铜带生产中快速预判高精度引线框架材料铜带蚀刻后平整度的方法。
本发明为了实现上述目的,采用如下技术方案:一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法,工艺流程为:取样-一次涂感光胶-一次烘干-一次制版-一次曝光-一次显影-边部蚀刻-去感光胶-二次涂感光胶-二次烘干-二次制版-二次曝光-二次显影-半蚀刻或全蚀刻-平整度测量-平整度评价。
第一步,取样:取长度30-300mm、宽度30-300mm的铜带;
第二步,一次涂感光胶:用小型喷枪,将感光胶均匀喷涂在铜带试样两面,将铜带表面覆盖住,无漏出铜带的地方;
第三步,一次烘干:将喷涂感光胶的铜带试样放入烘干箱加热到30-120℃烘干;
第四步,一次制版:采用CAD绘制出宽度为2-20mm的长方形图案后,用喷墨打印机打印在胶片纸上;
第五步,一次曝光:用两张制版后的胶片纸与烘干后的铜带试样对齐后叠放在一起,放入曝光机对双面进行1-10分钟曝光;
第六步,一次显影:用显影剂将制版图案在铜带试样上进行显影;
第七步,边部蚀刻:将显影后的铜带试样,放入小型蚀刻机以2-15米/分的速度进行边部蚀刻;
第八步,去感光胶:将蚀刻后的铜带试样两面感光胶采用去膜剂去除;
第九步,二次涂感光胶:用小型喷枪,将感光胶均匀喷涂在铜带试样两面,无漏铜现象;
第十步,二次烘干:将喷涂感光胶的铜带试样放入烘干箱加热到30-120℃烘干;
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